[发明专利]聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法无效
申请号: | 201310562904.9 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN103569957A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 卢明辉 | 申请(专利权)人: | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
主分类号: | B81C99/00 | 分类号: | B81C99/00 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 李媛媛 |
地址: | 214192 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合物 微米 阵列 结构 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种亚微米和微米微结构材料的制备方法,特别是一种聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备技术。
背景技术
聚合物微米/亚微米线阵列结构具有广泛的应用。例如,其阵列的不同排布可以实现光的散射和调控;导电的聚合物微米/亚微米线阵列可以作为电极阵列;聚合物微米/亚微米线阵列也可以进一步作为模板制备其它材料的微结构转阵列。因此,聚合物微米/亚微米线阵列微结构的制备方法的研发具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备成本低的聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备技术。
为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备技术的制备方法,包括以下步骤:
(1)根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I(聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、松香等可在常温下被有机溶剂溶解的聚合物)填充石英纤维空隙的复合结构;
(2)将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构;
(3)在上述中空微结构阵列中填充聚合物II(聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚二甲基硅氧烷等);
(4)去除聚合物I,获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。
本发明与现有技术相比,其显著优点是成本低廉,无需大型仪器,工艺简单可靠。本发明方法新颖,获得的微结构可在光电等领域获得应用。
附图说明
图1是聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法的示意图。
具体实施方式
下面对本发明作进一步详细的描述。
实施例中聚合物填充石英纤维空隙的复合结构根据专利ZL200710134575.2的方法获得。
实施例1:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微结构阵列的松香微结构;上述中空微结构阵列中填充聚二甲基硅氧烷,固化后用乙醇溶解去除松香,获得聚二甲基硅氧烷的微米/亚微米线阵列结构。
实施例2:将聚苯乙烯填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微结构阵列的聚苯乙烯微结构;上述中空微结构阵列中填充聚二甲基硅氧烷,固化后用三氯甲烷溶解去除聚苯乙烯,获得聚二甲基硅氧烷的微米/亚微米线阵列结构。
实施例3:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微结构阵列的松香微结构;上述中空微结构阵列中填充聚苯乙烯,固化后用乙醇溶解去除松香,获得聚苯乙烯的微米/亚微米线阵列结构。
实施例4:将聚甲基丙烯酸甲酯填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微结构阵列的聚甲基丙烯酸甲酯微结构;上述中空微结构阵列中填充聚二甲基硅氧烷,固化后用乙醇溶解去除松香,获得聚二甲基硅氧烷的微米/亚微米线阵列结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡英普林纳米科技有限公司,未经无锡英普林纳米科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310562904.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车清洗液及清洗方法
- 下一篇:转化固体生物质材料的方法