[发明专利]一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

将装有铜、铟、镓三种原料的石英坩埚放入真空感应炉中；对真空感应炉抽真空，之后通入氩气，感应炉的真空度为20-30mmHg，然后逐渐升温到500-700℃，铜、铟、镓三种金属逐渐熔化，随后升温到900-1100℃，熔炼10-30min，随炉冷却，得到铜铟镓三元合金；

将炼制好的铜铟镓三元合金与硒粉分别装入石英管的两端，抽真空，将石英管封管；采用管式炉对装有铜铟镓三元合金一端的石英管从室温加热到850-950℃；同时用管式炉对石英管另一端装有硒粉的部分加热，从室温加热到300-330℃，保温0-20min；然后加热到500℃保温1-20h；500℃加热到750℃；当硒粉一端温度达到750℃时，将铜铟镓三元合金一端的温度降到750℃，使铜铟镓与硒在750℃下反应5-60小时；关闭管式炉，停止加热，冷却到室温，得到铜铟镓硒固体样品。

2.按照权利要求1所述铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

称取570克金属铜，805克金属铟，210克金属镓，放入石英坩埚之中，对真空感应炉抽真空，之后通入氩气，感应炉的真空度在30mmHg，之后逐渐升温到500℃，铜、铟、镓三种金属逐渐熔化，随后升温到1000℃，熔炼10min，随炉冷却，得到铜铟镓三元合金；

将炼制好的1583克铜铟镓三元合金与1800克硒粉分别装入石英管的两端，抽真空，将石英管封管；采用管式炉对装有铜铟镓三元合金一端的石英管从室温加热到900℃；同时用管式炉对石英管另一端装有硒的部分加热，从室温加热到300℃，保温20min；300℃到500℃保温12h；500℃加热到750℃；当硒粉一端温度达到750℃时，将铜铟镓三元合金一端的温度降到750℃，使铜铟镓与硒在750℃下反应7小时；关闭管式炉，停止加热，冷却到室温，得到铜铟镓硒固体样品。

3.按照权利要求1或2所述铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，其特征在于，所述铜铟镓硒四元半导体合金的组成为质量份数比：

铜：18-25

铟：20-30

镓：0-15

硒：48-55

其中镓的质量份数不能等于0。