[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a.提供衬底（100）；

b.在衬底上分别形成NMOS和PMOS的伪栅堆叠（102）及其侧墙（104）、源/漏区和层间介质层（105）；

c.去除所述伪栅堆叠形成伪栅空位，暴露衬底上形成的栅极介质层或者在伪栅空位中的衬底上形成栅极介质层；

d.在所述NMOS和PMOS结构上形成PMOS功函数调节层（201）；

e.在所述NMOS和PMOS结构上形成阻挡层（202）；

f.去除NMOS结构上的阻挡层（202）；

g.在所述NMOS和PMOS结构上形成NMOS功函数调节层（203）；

h.去除PMOS上的NMOS功函数调节层（203）；

i.在所述NMOS和PMOS结构上形成接触金属层（205）。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述PMOS功函数调节层（201）的材料为TiN或基于TiN的材料；

所述阻挡层（202）的材料为双层结构，第一层较薄，为基于Ta的衬层，第二层较厚，为TiN或者基于TiN的材料。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述NMOS功函数调节层（203）的材料为TiAl或者包含Al的材料。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述PMOS上的NMOS功函数调节层（203）后，继续去除下层的阻挡层（202）。

5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的制造方法，其特征在于，所述半导体结构是MOSFET。

6.根据权利要求1至4中的任何一项所述的制造方法，其特征在于，所述半导体结构是FINFET。

7.在权利要求1中所述的制造方法，其中，在形成接触金属层之前，先形成衬层。

8.一种半导体结构，包括：

衬底(100)；

NMOS器件和PMOS器件，其形成在所述衬底（100）之上；

所述NMOS器件和PMOS器件分别包括：

栅堆叠，其位于所述衬底(100)之上；

在NMOS器件中，所述栅堆叠从下至上依次包括：栅极介质层、PMOS功函数调节层（201）、NMOS功函数调节层(203)和接触金属层（205），其中PMOS功函数调节层含有从NMOS功函数调节层扩散过来的Al原子；

在PMOS器件中，所述栅堆叠从下至上依次包括：栅极介质层、PMOS功函数调节层（201）和接触金属层（205）；

侧墙(104)，位于所述栅堆叠的侧壁上；

层间介质层（105），位于所述衬底（100）之上，侧墙（104）两侧；

源/漏区，位于所述栅堆叠两侧的衬底(100)中。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述PMOS的栅堆叠中，在PMOS功函数调节层（201）上有阻挡层（202）。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述PMOS功函数调节层（201）的材料为TiN；

所述阻挡层（202）的材料为双层结构，包括：基于Ta的衬层和TiN层。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述NMOS功函数调节层（203）的材料为TiAl。

12.根据权利要求8所述的半导体结构，在NMOS功函数调节层(203)或PMOS功函数调节层（201）与接触金属层之间具有衬层。