[发明专利]高分子介电材料改性剂及高分子介电材料的处理方法

说明书

技术领域

本发明属于线路制作技术领域，尤其涉及高分子介电材料改性剂及高分子介电材料的处理方法。

背景技术

因应电子产品的轻薄短小需求，线路板与封装载板甚至于体积电路都必须朝向高密度发展，在线路的制作工艺中，除了缩小导通孔的孔径外，微盲孔的导入与细线路的制作也都必须整合在这些先进制程里，即高密度互连技术的线路设计，在制作工艺中，主要面临两个问题：细线路的制作与层间互连的信赖性。

对于细线路制作工艺而言，目前比较成熟的做法是采用加成法的增层技术，其中又以半加成法为比较成熟的工艺，但随着介电材料的物化性质与电器性质的提升，化学铜层与介电层之间的密着力与热可靠性问题也渐渐凸显。当线路的尺寸缩小以及线路的传输频率增加时，先进的介电材料表面就必须具备小的粗糙度，以避免讯号的散失以及减少电阻电容延迟效应（RC delay）与损失，因此在提高介电材料电器特性的同时，又必须持续强化介电材料与化学铜层之间的密着力，将是未来技术提升的关键点。

国际半导体技术蓝图（ITRS）2008年组装与封装蓝图更新版，针对未来不同形态的半导体封装载板的性能属性与需求，提供了明确的技术指标，其指出，对于Flip Chip-BGA封装载板的应用，线路尺寸将在2014年达到8/8μm的线宽线距要求，并于2017年进一步缩小至6/6μm；而对于电器特性与2013年开始因应高速高频（达到7.34GHz）应用，必须将增层法介电材料的介电常数降低至3以下，损失正切也必须降到0.009以下，其他机械性质针对材料的热膨胀系数与材料吸湿率也需持续降低。同时，欧盟的RoHS与WEEE指令对于无铅焊接的强烈要求与禁用无卤素耐燃剂等环保法规、高密度配线必须使用较低热膨胀系数以及较佳热稳定性的基材等设计走向、高速宽频无线射频的应用也迫使介电材料必须有更好的机械性能。

虽然添加非卤素耐燃剂（反应性有机磷系DOPO）与高含量的无机填料（高达20%的SiO₂或Al(OH)₂）可提高高分子介电材料的玻璃转化温度（Tg）、热分解温度（Td）、杨氏模数与抗张强度，也调降X/Y与Z方向的热膨胀系数、延伸率及吸水率，但与此同时，介电材料对于化学的抵抗能力也增强许多，提高了后处理的除胶渣或粗化处理的难度。

目前，除胶渣主要采用湿式化学处理方法，即包括溶剂膨松、碱性高锰酸钾氧化咬蚀与中和四步。对于极性较高的介电材料，此方法可有效增加材料表面的粗糙度，但对于极性较低甚至于在高分子主链上没有极性基、只有在支链或交联键上存在极性基的介电材料，多次的除胶渣处理也无法产生需要的粗糙度，并且如果介电材料有较深且粗糙的表面坑洞时，也会给后期闪蚀与除钯制程带来沉重的压力。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种高分子介电材料改性剂及高分子介电材料的处理方法，该改性剂可在不增加介电材料表面粗糙度的情形下增强化学铜与介电材料的密着力。

本发明提供了一种高分子介电材料改性剂，包括：有机胺、阳离子高分子表面活性剂与水。

优选的，还包括湿润剂。

优选的，所述湿润剂为非离子表面活性剂。

优选的，所述湿润剂的浓度为1～1000ppm。

优选的，所述有机胺选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙烯三胺与四乙烯五胺中的一种或多种。

优选的，所述有机胺的含量为（5～50）g/L。

优选的，所述阳离子高分子表面活性剂为吉米奇表面活性剂。

优选的，所述阳离子高分子表面活性剂为式（I）结构的四级铵盐类阳离子表面活性剂：

其中，R₁、R₂与R₃各自独立地选自H或C1～C12的烷基；n为1～20的整数。

优选的，所述阳离子高分子表面活性剂的含量为（0.1～10）g/L。

本发明还提供了一种高分子介电材料的处理方法，包括：

将高分子介电材料浸泡于高分子介电材料改性剂中，所述高分子介电材料改性剂包括有机胺、阳离子高分子表面活性剂与水。