[发明专利]声波器件及其制造方法

权利要求书

1.一种声波器件，该声波器件包括：

基板；

位于所述基板上的压电膜；

下电极和上电极，所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对，所述上电极包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；

绝缘膜，所述绝缘膜夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间，并且所述绝缘膜的弹性常数的温度系数的符号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的符号相反；以及

第三导电膜，所述第三导电膜形成在所述绝缘膜和所述第二导电膜二者的端面上，并且使得所述第一导电膜和所述第二导电膜之间电短路，

其中

在所述下电极的引出线侧处的所述压电膜的外周位于比所述绝缘膜的所述端面更向内的位置，以及

所述绝缘膜包括在平面图中所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对的对向区域，并且所述绝缘膜的面积等于或大于所述对向区域的面积。

2.根据权利要求1所述的声波器件，其中

所述第三导电膜在所述端面的法线方向上的膜厚小于所述第一导电膜在所述基板的法线方向上的膜厚。

3.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中

所述上电极在所述下电极和所述上电极彼此面对的谐振区域中的膜厚连续地变化。

4.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中

所述第三导电膜含有所述第一导电膜的材料。

5.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中

所述绝缘膜的所述端面形成为楔形，使得所述绝缘膜的上表面的面积小于所述绝缘膜的下表面的面积。

6.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中

所述绝缘膜主要由氧化硅或氮化硅构成。

7.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中

所述压电膜主要由氮化铝构成。

8.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中

在所述下电极和所述上电极彼此面对的谐振区域中，在所述基板和所述下电极之间形成有空隙。

9.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中，

所述声波器件在所述下电极和所述上电极彼此面对的谐振区域中还包括所述下电极之下的声音反射膜，所述声音反射膜反射在所述压电膜中传播的声波。

10.一种制造声波器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成压电膜；以及

在所述基板上形成隔着所述压电膜彼此面对的下电极和上电极，其中

形成所述上电极的步骤包括以下步骤以使得绝缘膜包括在平面图中所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对的对向区域并且所述绝缘膜的面积等于或大于所述对向区域的面积：

形成第一导电膜；

在所述第一导电膜上形成所述绝缘膜，所述绝缘膜的弹性常数的温度系数的符号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的符号相反；

在所述绝缘膜上形成第二导电膜；以及

对所述第二导电膜、所述绝缘膜以及所述第一导电膜进行蚀刻，使得在所述绝缘膜和所述第二导电膜二者的端面上形成第三导电膜，

其中

在所述下电极的引出线侧处的所述压电膜的外周位于比所述绝缘膜的所述端面更向内的位置。

11.根据权利要求10所述的方法，其中

在对所述第二导电膜、所述绝缘膜和所述第一导电膜进行蚀刻时使用物理蚀刻法。