[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法有效
申请号: | 201310566368.X | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN104112759B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 李雄洙;李在先;金勋;崔宰赫;崔修赫;朴镇宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张云珠;戴嵩玮 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
公开了一种有机发光显示设备和一种制造所述有机发光显示设备的方法。所述有机发光显示设备包括:基底;位于基底上的显示单元;以及包封显示单元的包封层。包封层由低温粘度转变无机材料形成。包封层包括氮。
本申请要求于2013年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0043031号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光显示设备,更具体地讲,涉及一种包括改善了透光率且改善了包封特性的包封层的有机发光显示设备以及一种制造该有机发光显示设备的方法。
背景技术
有机发光显示设备是包括有机发光装置(OLED)的自发射显示设备,OLED包括空穴注入电极、电子注入电极以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。在有机发光显示设备中,从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中结合以产生激子,激子从激发态落到基态并产生光。
作为自发光显示设备的有机发光显示设备不需要独立的光源。因此,有机发光显示设备能够在低电压下操作,重量轻而薄,并且提供诸如宽视角、高对比度和快速响应的高品质特性。因此,作为下一代显示设备的有机发光显示设备已经受到了关注。
然而,由于外部湿气或氧等,会使有机发光显示设备退化。因此,有机发光显示设备应该被包封以保护OLED免受外部湿气或氧等的影响。另外,包封OLED的包封层应该保持至少某种程度的透光率。
发明内容
本发明的实施例提供一种包括具有改善的透光率和改善的包封特性的包封层的有机发光显示设备以及一种制造该有机发光显示设备的方法。
根据本发明的一方面,提供一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:基底;显示单元,位于基底上;以及包封层,包封显示单元,其中,包封层由低温粘度转变无机材料形成,其中,包封层包括氮。
包封层可以包括锡氧化物。锡氧化物可以是SnO2。
包封层还可以包括P2O5、BPO4、SnF2和WO3中的至少一种。
在包封层的表面中的SnO2的量可以大于在显示单元附近的区域中的SnO2的量。
包封层也可以形成在基底上。
根据本发明的另一方面,提供一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:基底;显示单元,位于基底上;以及包封层,包封显示单元,其中,包封层包括顺序地堆叠的第一包封层和第二包封层,其中,第一包封层和第二包封层由低温粘度转变无机材料形成,其中,第一包封层包括氮。
第一包封层和第二包封层可以包括锡氧化物。锡氧化物可以是SnO2。
第二包封层中的SnO2的量可以大于第一包封层中的SnO2的量。
第二包封层的厚度可以大于第一包封层的厚度。
根据本发明的另一方面,提供一种制造有机发光显示设备的方法,所述方法包括在基底上形成显示单元以及形成包封显示单元的第一包封层,其中,形成第一包封层的步骤包括:通过溅射在显示单元上沉积低温粘度转变无机材料,并加热沉积的低温粘度转变无机材料;在溅射期间将氩气和氮气一起注入。
氮气的注入量与氩气的注入量之间的比可以在大约0.005至大约0.1的范围。
根据本发明的另一方面的方法还包括在第一包封层上形成第二包封层,其中,第二包封层可以通过溅射来沉积低温粘度转变无机材料而形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310566368.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的