[发明专利]太阳电池后覆膜制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池制备工艺技术领域，具体公开了一种太阳电池后覆膜制备方法。 

背景技术

传统晶硅太阳电池的正面导体电极采用一次网印的方法在减反射膜的表面印刷一定图案结构的银浆，通过烧结的方法将银电极穿透减反射膜与扩散层连接从而达到收集电流的目的。但是现有银电极阻挡了部分太阳光的入射，一般可以阻挡6%左右的入射光，按照现有单晶19%的效率，如果使这一部分反射光全部被太阳电池吸收，可以提高据对效率1.14%。

Sunpower的IBC(Interdigitated back contact)太阳电池通过把正面导体电极全部移到背面来降低传统太阳电池电极图案对太阳光的反射作用的作用，但是该太阳电池对硅片质量要求很高，且工序繁杂，成本较高，不宜于大量生产。 

发明内容

本发明的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的太阳电池后覆膜制备方法，该方法可以显著减少太阳光在太阳电池正面导体电极细栅上的反射，达到提高太阳电池短路电流，提高效率的目的；而且使太阳电池表面颜色更加均一，降低了色差。

本发明的太阳电池后覆膜制备方法技术方案为，包括以下步骤：

步骤一、在经过制绒、清洗、扩散步骤后的半导体衬底表面制备正面导体电极；

步骤二、烘干；

步骤三、制备减反射膜。

太阳电池正面导体电极的制备有以下三种方式：

方式一，太阳电池正面导体电极的制备包括两步工艺，首先进行正面导体电极细栅的制备，再进行正面导体电极主栅的制备。

方式二，太阳电池正面导体电极的制备包括两步工艺，首先进行正面导体电极主栅的制备，再进行正面导体电极细栅的制备。

方式三，太阳电池正面导体电极的制备采用一次工艺制备正面导体电极主栅和细栅；

正面导体电极的制备方法为丝网印刷或喷墨打印。

正面导体电极细栅的宽度为1-60um，正面导体电极主栅的宽度为30-2000um。

优选的，正面导体电极细栅的宽度为20um，正面导体电极主栅的宽度为1200um。

减反射膜为一层以上具有减反射效果的薄膜的叠层结构。

优选的，减反射膜为一层氮化硅薄膜，厚度为85nm。

经过步骤一到三后，在太阳电池的非受光面印刷电极后进行烧结，得到太阳能电池片。

在模组工艺中太阳电池上的主栅与焊带进行焊接，而细栅由于其穿透能力不强，处于减反射膜下，从而可以提高太阳电池的吸光率。

还可以在正面主栅上方的减反射膜上打孔后，与焊带进行焊接，而细栅由于其穿透能力不强，处于减反射膜下，从而可以提高太阳电池的吸光率。

本发明的有益效果为：本发明的一种太阳电池后覆膜制备方法，该方法先制备太阳电池正面制备正面电极后，再进行减反射膜的制备，将可以显著减少太阳光在太阳电池正面导体细栅上的反射，达到提高太阳电池短路电流，提高效率的目的；而且使太阳电池表面颜色更加均一，降低了色差。实验表明，运用该方法制作的太阳电池，短路电流提高0.4A以上，充分显示了该方法的应用前景。

附图说明：

图1所示为本发明太阳电池正面导体电极制备减反射膜后的结构示意图；

图中1.半导体衬底，3.正面导体电极细栅，4.减反射膜，5. 正面导体电极主栅。

具体实施方式：

为了更好地理解本发明，下面结合附图来详细说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。

实施例1

一种太阳电池后覆膜制备方法，包括以下步骤：

步骤一、在经过制绒、清洗、扩散步骤后的半导体衬底1表面丝网印刷正面导体电极：首先进行正面导体电极细栅3的印刷，再进行正面导体电极主栅5的印刷，正面导体电极细栅的宽度为20um，正面导体电极主栅的宽度为1200um；

步骤二、烘干：温度350℃，时间3.5分钟；

步骤三、制备减反射膜4。减反射膜为一层氮化硅薄膜，其厚度为85nm；

在太阳电池的非受光面印刷电极后进行烧结，得到太阳能电池片。