[发明专利]多接触孔的形成方法无效
申请号: | 201310566696.X | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN103560109A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 朱科奇 | 申请(专利权)人: | 宁波市鄞州科启动漫工业技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/311 |
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地址: | 315192 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 形成 方法 | ||
1.一种多接触孔的形成方法,其特征在于:
该方法包含有一形成于基板(100)上的下层(200),下层(200)可包括第二硬模层(230)、一下硬模层(220),一设备层(210),或它们的组合,设备层(210)可由任何合适的材料制成;
第二硬模层(230)可由任何合适的硬掩模材料组成,第二硬模层(230)由与第一硬模层(300)的材料不同的材料组成,且第二硬模层(230)可具有任何合适的厚度;
第一硬模层(300)上形成有包含至少一个第一特征(402)和至少一个第二特征(403)的多个间隔开的特征层(401)。
2.根据权利要求1所述的一种多接触孔的形成方法,其特征在于:特征层(401)上形成有第一隔离层(500),其由与特征层(401)的材料不同的材料组成。
3.根据权利要求2所述的一种多接触孔的形成方法,其特征在于:第一隔离层(500)可被蚀刻形成第一间隔图案(502)。
4.根据权利要求3所述的一种多接触孔的形成方法,其特征在于:第一间隔图案(502)显呈现为多个间隔件壳,其限定了第一壁(510)和与之相对的第二壁(511)。
5.根据权利要求1所述的一种多接触孔的形成方法,其特征在于:该方法中可形成有一盖掩模(602),盖掩模(602)可包括至少一个间隔开的盖掩模材料的第一带状部分(603)和第二带状部分(604),还包括有形成在下层上的盖掩模材料的第三带状部分(605)和形成在下层之上的盖掩模材料的第四带状部分(606)。
6.根据权利要求1所述的一种多接触孔的形成方法,其特征在于:第一硬模层(300)被蚀刻的暴露部分形成多个接触孔(303)。
7.根据权利要求5所述的一种多接触孔的形成方法,其特征在于:盖掩模(602)可包括有条带状部分(607)、条带状部分二(608)、条带状部分三(609)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造