[发明专利]有机发光二极管装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管装置（下文中，将称为“OLED”装置），具体地，涉及能够通过防止湿气从外部进入OLED装置而具有增强的环境可靠性的OLED装置及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管（OLED）装置作为一种平板显示装置，具有高亮度和低工作电压。另外，OLED装置具有高对比度，因为它是自发发光型，并且它可以实现超薄厚度的显示器。OLED装置可以由于对应于几微秒（μs）的短响应时间而容易地实现运动图像。此外，OLED装置具有不受限制的视角，并且即使在低温下也具有稳定的特性。另外，因为OLED装置在诸如5V至15V的直流低压下驱动，所以容易制造和设计驱动电路。

因为仅需要沉积和封装设备，所以可以按照非常简单的方式制造OLED装置。

具有这种特性的OLED装置被主要分类成无源矩阵型和有源矩阵型。在无源矩阵型中，扫描线和信号线彼此交叉以按照矩阵形式形成OLED装置。为了驱动各个像素，顺序地驱动扫描线。因此，对于所需的平均亮度，应该实现瞬时亮度，即，通过将平均亮度乘以线的数量得到的值。

另一方面，在无源矩阵型中，薄膜晶体管（TFT）（即，用于开启/关闭像素区域的开关器件）位于各个像素区域中。与开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管连接到电源线和发光二极管，并且形成在各个像素区域中。

连接到驱动薄膜晶体管的第一电极以像素区域为单元开启/关闭，并且面对第一电极的第二电极充当公共电极。第一电极、第二电极以及插置在这两个电极之间的有机发光层构成发光二极管。

在这种有源矩阵型中，施加到像素区域的电压被充入存储电容器（Cst）。应该一直向OLED装置供电，直到向OLED装置施加后续帧的信号为止。在这种构造下，独立于扫描线的数量，在单个帧内连续地驱动OLED装置。

即使向OLED装置施加低电流，也实现相同的亮度。由于低功耗、高分辨率和大屏幕的特性，近年来有源矩阵型受到关注。

将参照附图说明这种有源矩阵型OLED装置的基础结构和工作特性。

图1是示出根据传统技术的有源矩阵型OLED装置的单个像素区域的构造的电路图。

参照图1，有源矩阵型OLED装置的单个像素区域由开关薄膜晶体管（STr）、驱动薄膜晶体管（DTr）、存储电容器（Cst）和发光二极管（E）构成。

选通线（GL）形成在第一方向上，数据线（DL）形成在垂直于第一方向的第二方向上，从而限定像素区域（P）。用于向OLED装置施加电源电压的电源线（PL）与数据线（DL）间隔开。

开关薄膜晶体管（STr）形成在数据线（DL）和选通线（GL）之间的交叉处，电连接到开关薄膜晶体管（STr）的驱动薄膜晶体管（DTr）形成在各个像素区域（P）中。

DTr电连接到发光二极管（E）。更具体地，第一电极（即，设置在发光二极管（E）一侧的端子）连接到DTr的漏极。第二电极（即，设置在发光二极管（E）另一侧的端子）连接到电源线（PL）。电源线（PL）向发光二极管（E）传输电源电压。存储电容器（Cst）形成在DTr的栅极和源极之间。

一旦通过选通线（GL）向OLED装置施加了信号，STr就导通。而且，当数据线（DL）的信号被发送到DTr的栅极时，DTr导通。因此，通过发光二极管（E）发光。如果DTr导通，则确定从电源线（PL）施加到发光二极管（E）的电流水平。结果，发光二极管（E）可以实现灰度级。

存储电容器（Cst）用于当STr截止时恒定地保持DTr的栅电压。因此，即使STr截止，在下一帧内，可以恒定地保持施加到发光二极管（E）的电流水平。

图2是示意性示出根据传统技术的OLED装置的截面图。

参照图2，在传统的OLED装置10中，在基板11上限定活动区（AA，显示区域）和在活动区（AA）外部形成的非活动区（NA，非显示区域）。由选通线（未示出）和数据线（未示出）限定的多个像素区域（P）形成在活动区（AA）中。电源线（未示出）平行于数据线（未示出）形成。

开关薄膜晶体管（未示出）和驱动薄膜晶体管（DTr）形成在各个像素区域（P）中。

在传统的有机发光二极管装置10中，形成有DTr和发光二极管（E）的基板11被阻隔膜（未示出）封装。