[发明专利]存储器阵列结构与其操作方法与制造方法

权利要求书

1.一种存储器阵列结构，包括：

一环形电路图案，包括多条字线，其中每该字线为环形；

一阵列区，包括

一第一阵列，包括一部分这些字线、一第一接地选择线与一第一串行选择线，该第一接地选择线与该第一串行选择线位于这些字线的两侧；

一第二阵列，包括另一部分这些字线、一第二接地选择线与一第二串行选择线，该第二接地选择线与该第二串行选择线位于这些字线的两侧；及

多条位线，位于该第一阵列与该第二阵列并跨越该第一阵列与该第二阵列；以及

一接触区，具有多个接触点，其中这些字线透过这些接触点与一外部电路电性连接。

2.根据权利要求1所述的阵列结构，更包括：

多条第一金属线，设置于该环形电路图案之上，其中每该字线透过这些接触点与两条不同的这些第一金属线电性连接；及

多条第二金属线，设置于这些第一金属线之上，这些第二金属线与这些第一金属线电性连接。

3.根据权利要求2所述的阵列结构，更包括：

多个贯孔，其中这些第二金属线透过这些贯孔与这些第一金属线电性连接。

4.根据权利要求3所述的阵列结构，其中每该字线对应于两个贯孔。

5.根据权利要求2所述的阵列结构，包括：

至少六个该接触区，具有多个接触点，其中每该字线透过两个不同的该接触区的接触点，与这些第一金属线电性连接。

6.根据权利要求2所述的阵列结构，包括多个该环形电路图案。

7.根据权利要求6所述的阵列结构，其中每该环形电路图案对应于两条这些第二金属线。

8.一种存储器阵列结构的操作方法，其中该存储器阵列结构包括：

一环形电路图案，包括多条字线，其中每该字线为环形；

一阵列区，包括

一第一阵列，包括一部分这些字线、一第一接地选择线与一第一串行选择线，该第一接地选择线与该第一串行选择线位于这些字线的两侧；

一第二阵列，包括另一部分这些字线、一第二接地选择线与一第二串行选择线，该第二接地选择线与该第二串行选择线位于这些字线的两侧；及

多条位线，位于该第一阵列与该第二阵列并跨越该第一阵列与该第二阵列；以及

一接触区，具有多个接触点，其中这些字线透过这些接触点与一外部电路电性连接；

该存储器阵列结构的操作方法包括：

施加一供应电压至该第一串行选择线与该第二串行选择线；

选择该第一阵列与该第二阵列其中之一为一选定阵列，其中之另一为一非选定阵列；

将该非选定阵列中的串行选择线的电压变为0，使得该非选定阵列的导电通道为浮动；以及

将一选定的位线的电压变为0，其他未选定的位线维持浮动；

其中该选定阵列中的字线具有一操作电压，该非选定阵列的字线具有一导通电压，以防止非选定阵列的字线进行操作。

9.一种存储器阵列结构的制造方法，包括：

提供一图案化掩模层于一电极层上；

沉积一间隔层于该图案化掩模层与该电极层上；

图案化该间隔层，以形成至少一间隔物于该图案化掩模层的侧壁；

移除该图案化掩模层；

形成一图案化光刻胶层于该电极层上；以及

通过该间隔物与该图案化光刻胶层刻蚀该电极层，以形成一环形电路图案以及一第一接地选择线、一第一串行选择线、一第二接地选择线与一第二串行选择线；

其中，该环形电路图案包括多条字线，这些字线不经过一裁切工艺，使得每条字线皆为一连续的封闭图形。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中图案化该间隔层的步骤，包括：

刻蚀并移除平行于该电极层的该间隔层，使得该图案化掩模层的上表面露出。