[发明专利]一种制备金刚石薄膜的简单装置无效
申请号: | 201310567348.4 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103643218A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 秦文锋;李学军;杨文志 | 申请(专利权)人: | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/50 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吴剑锋 |
地址: | 528400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 金刚石 薄膜 简单 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种制备金刚石薄膜的简单装置。
背景技术
金刚石薄膜具有很高的硬度、较好的热导性,耐磨损性,极佳的化学惰性,和从远红外区到深紫外区完全透明等优点。金刚石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半导体以及X射线窗口等领域有着广泛的前景。
现有用于制备金刚石薄膜的装置,其结构一般比较复杂,生产成本高。故此,现有用于制备金刚石薄膜的装置有待于进一步完善。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种结构简单,制作方便,生产成本低,用于制备金刚石薄膜的简单装置。
为了达到上述目的,本发明采用以下方案:
一种制备金刚石薄膜的简单装置,包括有反应室,其特征在于:在所述的反应室下方设有气体入口,在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极,在所述的阴极上设有多个透气孔,在所述阴极上方设有水冷阳极,基片设置在水冷阳极上,所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。
如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置,其特征在于在所述 的阴极上内设有水冷容腔,在所述的阴极设有与所述水冷容器相连接的进水口。
如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置,其特征在于所述水冷阳极与阴极通过导线连接有电源。
如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置,其特征在于所述水冷阳极包括有阳极本体,在所述的阳极本体上设有水冷进口。
如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置,其特征在于所述水冷阳极与阴极之间的距离为2cm。
综上所述,本发明的有益效果:
本发明工艺方法简单,制作方便,生产成本相对较低。
附图说明
图1为本发明的示意图。
具体实施方式
下面结合附图说明和具体实施方式对本发明做进一步描述:
如图1所示,本发明一种制备金刚石薄膜的简单装置,包括有反应室1,在所述的反应室1下方设有气体入口2,在所述反应室1内与所述气体入口2对应的位置上设有阴极3,在所述的阴极3上设有多个透气孔4,在所述阴极3上方设有水冷阳极5,基片6设置在水冷阳极5上。
本发明中所述水冷阳极5与阴极3通过导线7连接有电源8。
本发明中在所述的阴极3上内设有水冷容腔,在所述的阴极3设有与所述水冷容器相连接的进水口9。
本发明中所述水冷阳极5包括有阳极本体51,在所述的阳极本体51上设有水冷进口52。所述水冷阳极5与阴极之间的距离为2cm。
本发明装置使用过程中压力约28KPa的反应气体CH4+H2通过阴极3中的进入反应室1,水冷阳极5位于阴极3上方,基片6安装在水冷阳极上,水冷阳极与阴极的距离为2cm,CH4/H2比率由0.3%变到4%,但流量固定在20sccm,所使用的典型放电条件为1KV和0.4nm/cm2,基片6温度上升到800℃,其温度可通过改变通入阳极的冷却水的流量来改变。
采用本发明装置制备的金刚石薄膜,其面间距、点阵常数、维氏硬度与自然金刚石对应值相符。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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