[发明专利]高光透玻璃基板LED照明装置及其制备方法

权利要求书

1.一种高光透玻璃基板LED照明装置，其特征在于：包括玻璃透明基板（5），通过气相沉积技术直接制备于所述玻璃透明基板（5）上的光学增透膜层（4），通过气相沉积技术制备于所述光学增透膜层（4）上的金属线路层（3），所述金属线路层（3）与一LED发光芯片（2）电性导通，一荧光胶层（1）胶设于所述LED发光芯片（2）外并将其固定于所述金属线路层（3）之上。

2.根据权利要求1所述的高光透玻璃基板LED照明装置，其特征在于：所述玻璃透明基板（5）的下方设有荧光胶层（1）。

3.根据权利要求1所述的高光透玻璃基板LED照明装置，其特征在于：所述玻璃透明基板（5）的下方依次设有光学增透膜层（4）和荧光胶层（1）。

4.根据权利要求1所述的高光透玻璃基板LED照明装置，其特征在于：所述玻璃透明基板（5）的下方依次设有通过气相沉积技术制备的光学增透膜层（4）和金属线路层（3），以及与所述金属线路层（3）电性导通的LED发光芯片（2），一荧光胶层（1）胶设于所述LED发光芯片（2）之外。

5.根据权利要求1-4任一所述的高光透玻璃基板LED照明装置，其特征在于：所述玻璃透明基板（5）的厚度小于0.5毫米。

6.根据权利要求1-4任一所述的高光透玻璃基板LED照明装置，其特征在于：所述光学增透膜层（4）为MgF₂涂层，或掺杂有TiO₂的MgF₂复合涂层。

7.根据权利要求1-4任一所述的高光透玻璃基板LED照明装置，其特征在于：所述金属线路层（3）为Ni，Cr，Cu，Al金属层，厚度为0.5um至5um。

8.一种高光透玻璃基板LED照明装置的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、采用超声波清洗技术对玻璃基板进行表面清洗；

S2、清洗完的玻璃基片置于镀膜真空室内，抽至1*10^-4Pa以上的真空度；

S3、在所述玻璃透明基板（5）的上表面采用磁控溅射技术制备光学增透膜层（4）；制备增透膜也可采用电子束，热蒸发的PVD技术；

S4、在所述光学增透膜层（4）上表面采用磁控溅射技术制备金属线路层（3）；制备金属线路也可采用电子束，热蒸发的PVD技术；

S5、采用贴片工艺完成玻璃基板上的LED芯片焊接，之后采用荧光胶将LED发光芯片（2）封装于所述金属线路层（3）上。

9.根据权利要求8所述的高光透玻璃基板LED照明装置的制备方法，其特征在于：还包括S6、在所述玻璃透明基板（5）的下表面涂覆荧光胶层（1）。

10.根据权利要求8所述的高光透玻璃基板LED照明装置的制备方法，其特征在于：还包括，

S6、在所述玻璃透明基板（5）的下表面采用PVD技术制备光学增透膜层（4）；

S7、在所述光学增透膜层（4）的下表面涂覆荧光胶层（1）。

11.根据权利要求8所述的高光透玻璃基板LED照明装置的制备方法，其特征在于：还包括，

S6、在所述玻璃透明基板（5）的下表面采用PVD技术制备光学增透膜层（4）和金属线路层（3）；

S7、采用荧光胶将一LED发光芯片（2）封装于所述金属线路层（3）上，从而形成所述玻璃透明基板（5）两侧均设有LED发光芯片（2）。