[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

第一化合物半导体层；

第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层形成在所述第一化合物半导体层的上侧上，并且具有大于所述第一化合物半导体层的带隙的带隙；

p型第三化合物半导体层，所述p型第三化合物半导体层形成在所述第二化合物半导体层的上侧上；

电极，所述电极形成在所述第二化合物半导体层的上侧上穿过所述第三化合物半导体层；

第四化合物半导体层，所述第四化合物半导体层形成为在所述第二化合物半导体层的上侧处接触所述第三化合物半导体层，并且具有小于所述第二化合物半导体层的带隙的带隙；以及

第五化合物半导体层，所述第五化合物半导体层形成为在所述第四化合物半导体层的上侧处接触所述第三化合物半导体层，并且具有大于所述第四化合物半导体层的带隙的带隙。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第四化合物半导体层和所述第五化合物半导体层形成在所述第三化合物半导体层的侧表面处。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，还包括：

形成在所述第二化合物半导体层与所述第三化合物半导体层之间的第六化合物半导体层，并且所述第六化合物半导体层具有大于所述第四化合物半导体的带隙的带隙。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第四化合物半导体层形成在所述第二化合物半导体层与所述第三化合物半导体层之间，并且所述第五化合物半导体层形成在所述第三化合物半导体层的侧表面处。

5.根据权利要求4所述的化合物半导体器件，其中在所述第四化合物半导体层的设置在所述第三化合物半导体层下方的区域中，所述第四化合物半导体层的部分或全部成为p型。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第四化合物半导体层和所述第五化合物半导体层仅形成在所述第三化合物半导体层的一个侧表面处。

7.根据权利要求6所述的化合物半导体器件，还包括：

电连接到所述第五化合物半导体层的连接电极。

8.一种用于制造化合物半导体器件的方法，包括：

提供具有带隙的第一化合物半导体层；

在所述第一化合物半导体层的上侧上形成第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层具有大于所述第一化合物半导体层的带隙的带隙；

在所述第二化合物半导体层的上侧上形成p型第三化合物半导体层；

在所述第二化合物半导体层的上侧上形成穿过所述第三化合物半导体层的电极；

在所述第二化合物半导体层的上侧处形成接触所述第三化合物半导体层的第四化合物半导体层，所述第四化合物半导体层具有小于所述第二化合物半导体层的带隙的带隙；以及

在所述第四化合物半导体层的上侧处形成接触所述第三化合物半导体层的第五化合物半导体层，所述第五化合物半导体层具有大于所述第四化合物半导体层的带隙的带隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第四化合物半导体层和第五化合物半导体层形成在所述第三化合物半导体层的侧表面处。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述第二化合物半导体层与所述第三化合物半导体层之间形成第六化合物半导体层，并且所述第六化合物半导体层具有大于所述第四化合物半导体的带隙的带隙。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述第四化合物半导体层形成在所述第二化合物半导体层与所述第三化合物半导体层之间，并且所述第五化合物半导体层形成在所述第三化合物半导体层的侧表面处。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述第四化合物半导体层的设置在所述第三化合物半导体层下方的区域中，所述第四化合物半导体层的部分或全部成为p型。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述第四化合物半导体层和所述第五化合物半导体层仅形成在所述第三化合物半导体层的一个侧表面处。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述第五化合物半导体层上形成连接电极。