[发明专利]异质结热光伏电池的制备方法

权利要求书

1.异质结热光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：

步骤1在基区上面依次生长发射区、电极接触层和上电极

⑴将厚度50～500μm较窄禁带宽度的p-Ge层衬底作为基区置于MOCVD设备中，在p-Ge层衬底上面生长出厚度小于500nm较宽禁带宽度的n-Ga_xIn_yP层作为发射区，其中x=0.4～0.8，y=1-x；

⑵在n-Ga_xIn_yP层上面外延生长30nm～1000nm厚作为制作电极接触层用的重掺杂n-GaAs层或重掺杂n-GaInP层；

⑶在电极接触层上面蒸镀一层作为上电极用0.1μm～30μm厚的Ag、Au、Cu、Ti、Pd、Ni或Al膜；

步骤2光刻上电极

在上电极上表面总面积1%～10%的上电极上光刻出栅线图形；

步骤3腐蚀上电极和电极接触层

按照步骤2光刻出的栅线图形，对上电极和电极接触层腐蚀出栅线，直至腐蚀到露出发射区n-Ga_xIn_yP层，完成腐蚀；冲洗、吹干后立即放入真空热蒸发系统中；

步骤4制作光学减反射层

在步骤3腐蚀后露出的发射区面蒸镀10nm-1000nm厚作为光学减反射层的硫化锌、氟化镁、氧化铝、氧化钛或氧化硅之一种或复数种材料层；

步骤5在基区下面蒸镀下电极

在作为基区的p-Ge层衬底下面蒸镀0.1μm～10μm厚作为下电极的Ag、Au、Cu、Ti、Pd、Ni或Al膜层；完成异质结热光伏电池的制作过程。

2.根据权利要求1所述的异质结热光伏电池的制备方法，其特征在于：所述p-Ge层的禁带宽度为0.66eV，p-Ge层中掺杂有Be、Mg、B或Zn，掺杂的浓度为10¹⁵～10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的异质结热光伏电池的制备方法，其特征在于：所述n-Ga_xIn_yP层的禁带宽度为1.9eV，n-Ga_xIn_yP层中掺杂有Si、Se、Sn或Te，掺杂的浓度为10¹⁷～10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的异质结热光伏电池的制备方法，其特征在于：所述电极接触层中掺杂有Si、Se、Sn或Te，掺杂的浓度为10¹⁸～10²⁰cm^-3。