[发明专利]碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管

权利要求书

1.一种形成碳纳米管场效应晶体管的方法，包括：

形成第一碳纳米管膜；

将第一栅极层耦合到所述第一碳纳米管膜的表面以影响所述第一碳纳米管膜的电场；

将第二碳纳米管膜耦合到所述第一栅极层，其中所述第一栅极层影响所述第二碳纳米管膜的电场；以及

将源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开的所述第一碳纳米管膜。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成到第二碳纳米管膜的第二栅极层并且电耦合所述第一栅极层和所述第二栅极层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：将第二栅极层耦合到所述第二碳纳米管膜以使用所述第一栅极层和所述第二栅极层二者影响所述第二碳纳米管膜中的电场。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一栅极层还包括夹在电介质层之间的栅极接触金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碳纳米管膜的金属接触降低了所述欠重叠区域的接触电阻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极层的厚度基本与所述源极接触和所述漏极接触中的至少一个的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：层叠碳纳米管膜和栅极层的交替层以获得所述晶体管的参数的选定状态。

8.一种形成晶体管的栅极区域的方法，包括：

层叠栅极层和碳纳米管膜的多个交替层；

将所述栅极层彼此电耦合以形成所述晶体管的所述栅极区域；以及

将源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到通过欠重叠区域与所述栅极层分开的所述碳纳米管膜。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，层叠栅极接触金属和碳纳米管的多个交替层还包括在衬底上形成第一碳纳米管层并且在所述第一碳纳米管层的顶上垂直层叠栅极接触金属和碳纳米管的多个交替层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述晶体管在衬底上的占地面积与所述交替层的数量无关。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：层叠所述多个交替层以便选定的碳纳米管膜中的电场受到在该选定的碳纳米管膜的相对侧上的栅极层的影响。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述碳纳米管膜的金属内容物降低了所述欠重叠区域的接触电阻。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，选定的栅极层包括夹在电介质层之间的栅极接触金属。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括：选择交替层的数量以获得晶体管参数的选定状态。

15.一种形成晶体管的方法，包括：

层叠栅极层和碳纳米管膜的多个交替层；

将所述栅极层彼此电耦合；以及

将所述碳纳米管膜耦合到源极接触和漏极接触中的至少一个，其中所述源极接触和漏极接触中的所述至少一个通过欠重叠区域与所述栅极层分开。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，层叠栅极层和碳纳米管的多个交替层还包括在衬底上形成第一碳纳米管层并且在所述第一碳纳米管层的顶上垂直层叠栅极层和碳纳米管的多个交替层。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括：层叠所述多个层以便选定的碳纳米管膜中的电场受到在该选定的碳纳米管膜的相对侧上的栅极层的影响。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，选定的栅极层包括夹在绝缘体材料之间的栅极接触金属。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述栅极层的厚度基本与所述源极接触和所述漏极接触中的所述至少一个的厚度相同。

20.根据权利要求15所述的方法，还包括：选择交替层的数量以获得晶体管参数的选定状态。