[发明专利]一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料的制备方法，其特征是：包括如下步骤：

（1）对基体材料进行表面处理，使其表面粗糙度Ra为0.5～2um；

（2）用活化液、腐蚀液、净化液、清洗液等依次清洗表面，再放入超声波仪器中清洗半小时以上，并烘干；

（3）用等离子辉光放电设备进行渗钼：在真空室内设置两个高压电源，公共阳极和分别两个阴极，纯钼板作为提供欲渗的钼原子，称为源极，并与被渗铁基材料分别放置在这两个阴极上，抽真空到极限后，充入少量氩气，调节源极电压和被渗铁基材料电压，分别进行离子轰击，10～30min，之后逐步提高源极和被渗铁基材料电压到工作电压，升温到工作温度后保温一段时间，完成渗钼过程，最后缓慢冷却到室温；

（4）将经过渗钼铁基材料放入电弧离子镀沉积设备中，调节负偏压、弧电流、工作总气压、氩气和氮气的流量比、沉积温度、沉积时间工艺参数进行表面沉积氮化钛工艺，最后获得沉积氮化钛+渗钼+铁基组织的新型电极材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（1）所述基体材料为钢铁材料。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（3）所述渗钼工艺参数为：源极电压-800～1100V，工件电压-300～-600V，极间距10～50 mm，氩气工作气压20～60 Pa，保温温度 800～1200℃，保温时间2～8 h；保温结束后，将试样随炉缓冷至室温，可获得20～80 um的合金化层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（4）所述沉积使用的电源为电弧离子镀或磁控溅射电源或射频溅射电源。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（4）所述电弧离子镀工艺参数为：本底真空度10^-4～10^-3Pa，通入氩气至0.1～20 Pa，用-500～-1000V的偏压清洗试样10～30min；沉积温度为室温～400℃，沉积气压0.5～10Pa，沉积偏压-100～-300V，沉积时间0.5～2h，氩气和氮气的流量比1：2～1：9。

6.用权利要求1-5之一所述的制备方法制备的表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料。