[发明专利]具有改进电极构造的发光设备

说明书

本申请是申请日为2009年9月2日、发明名称为“具有改进电极构造的发光设备”的专利申请200910167299.9的分案申请。

技术领域

本发明涉及发光设备，更具体地说，涉及具有改进电极构造的发光设备。电极构造的各种设置与相对较薄的透明导电氧化物层一起可以增大光提取（light extraction）并降低发光设备的工作电压。

背景技术

将电流转换为光的发光二极管（LED），是现今最重要的固态发光设备之一。LED通常包括位于P型半导体层与N型半导体层之间的发光层。将驱动电流施加到电连接到P型半导体层的P型电触点，并且将其施加到电连接到N型半导体层的N型电触点。因此，P型半导体层和N型半导体层分别将空穴（hole）和电子排出到发光层。空穴和电子在发光层内组合，由此发光。在全部方向上从发光层发出光，然后光离开LED的表面。

增大LED的尺寸及发光面积是提高LED发光效率及发光强度的方法之一。然而，对于常规的基于氮化物的LED，因为电流不能从电触点开始在整个发光层上均匀地扩散，所以对尺寸的增大会受到限制。例如，因为P型基于氮化物的半导体层具有相对较低的导电率，所以施加到P型电触点的电流的扩散会限于位于P型电触点下方的P型基于氮化物的半导体层的特定区域。电流不能在整个P型基于氮化物的半导体层上横向地（laterally）扩散。此外，会在LED的特定部分处发热，使得电触点周围的组件材料更快速地劣化。对于N型基于氮化物的半导体层而言，虽然它具有更好的导电率，但是对于电流在该层上横向地扩散仍然存在某些障碍。随着LED设备尺寸的增大，电流不能从电触点开始在N型基于氮化物的半导体层上均匀地扩散。因此，常规的基于氮化物的LED的尺寸受到电流在P型基于氮化物的半导体层中及在N型基于氮化物的半导体层中的横向扩散的限制。

发明内容

在本发明的一个方面中，该发光设备包括第一半导体层和第二半导体层、位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层、位于所述第一半导体层上的第一电极图案层以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层，其中，所述第二电极图案层包括电极主体以及从所述电极主体向所述第一电极图案层延伸的多个分支电极。

在本发明的另一方面中，该发光设备包括第一半导体层和第二半导体层、位于所述第一半导体层与第二半导体层之间的发光层、位于所述第一半导体层上的第一电极图案层以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层，其中，所述第一电极图案层及所述第二电极图案层被设置为使得沿所述第一电极图案层及所述第二电极图案层的长度在所述第一电极图案层与所述第二电极图案层之间存在不均匀的距离。

本发明实施例提供的具有改进电极构造的发光设备中的改进电极构造与相对较薄的透明导电氧化物层一起可以增大发光设备的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是示出具有改进电极构造的发光设备的示意性立体图；

图2是示出图1的发光设备的示意性俯视图；

图2A是示出沿着图2的线I-I截取的发光设备的部分构造的截面图；

图2B是示出N型子电极图案的部分构造与图2的区域a中的P型子电极图案的部分构造之间的关系的示意性俯视图；

图2C是示出图2B中所示构造的一个替换构造的示意性俯视图；

图2D是示出图2B中所示构造的另一替换构造的示意性俯视图；

图2E是示出图2B中所示构造的另一替换构造的示意性俯视图；

图2F是示出图2B中所示构造的另一替换构造的示意性俯视图；

图3是与图2A相应的、示出发光设备的第二实施方式的部分构造的截面图；

图4是与图2B相应的、示出发光设备的第二实施方式的示意性俯视图；

图5是示出发光设备的第三实施方式的示意性俯视图；以及

图6是示出发光设备的第四实施方式的示意性俯视图。

具体实施方式