[发明专利]一种硅穿孔的制造方法有效
| 申请号： | 201310573264.1 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104637868B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅穿孔 研磨 异质 硅基片 过研磨 减薄 背面 半导体硅基片 厚度稳定性 工艺波动 器件工艺 填充金属 凹陷 硅片 拉丝 连线 去除 填充 制造 削减 保留 | ||
1.一种硅穿孔的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：
步骤1，提供一半导体硅基片，该硅基片具有正面和背面；在所述硅基片的正面形成硅穿孔图形；
步骤2，在所述硅穿孔的底部形成研磨异质；方法是：使用悬涂玻璃工艺，在所述硅基片表面和所述硅穿孔侧壁以及底部形成氧化膜，所述硅穿孔底部的氧化膜厚度远大于其他区域的氧化膜厚度；然后，采用各向同性的干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺去除所述硅基片表面和所述硅穿孔侧壁的氧化膜；
步骤3，对所述硅穿孔进行填充和平坦化；
步骤4，完成前道器件工艺和后道连线工艺，从所述硅基片的背面进行研削减薄工艺，减薄工艺接触到研磨异质后停止或者过研磨一定量，过研磨需要保留部分研磨异质；
步骤5，去除研磨异质，调整硅穿孔突出或者凹陷的高度。
2.按权利要求1所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，所述硅穿孔底部的氧化膜的厚度在0.1µm到2µm之间。
3.按权利要求1所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，步骤2中，所述在硅穿孔的底部形成研磨异质的方法或者是：使用化学气相沉积法在所述硅穿孔侧壁和底部沉积一层氮化硅；然后使用各向异性的干法刻蚀打开所述硅穿孔底部的氮化硅；再使用热氧化方法在硅穿孔底部生长热氧化膜；再使用各向同性干法或湿法刻蚀去除所述硅穿孔侧壁的氮化硅。
4.按权利要求3所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，所述氮化硅厚度为200～2000埃。
5.按权利要求3所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，所述热氧化膜的厚度为1000～20000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
