[发明专利]一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺

权利要求书

1. 一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层，最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。

2.根据权利要求1所述的一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1）首先采用光刻胶或氮化硅通过曝光显影形成第一层牺牲层图形，该牺牲层图形线条尺寸大于金属线条图形尺寸，厚度大于金属层厚度；

（2）沉积第二层牺牲层氧化硅薄膜，若第一层牺牲层采用光刻胶，则氧化硅薄膜采用低温工艺；若第一层牺牲层为氮化硅，则氧化硅薄膜采用等离子增强化学气相沉积或热氧化工艺； 

（3）采用电极反版图形对第二层牺牲层进行涂胶、曝光及显影；

（4）采用干法刻蚀工艺形成第二层牺牲层图形，该牺牲层图形与金属电极引线图形互补，或该层图形可采用负性光刻胶和金属电极引线版图形成；

（5）去除第一层牺牲层，若第一层牺牲层为光刻胶，采用普通去胶工艺即可；若第一层牺牲层为氮化硅薄膜，采用湿法工艺去除氮化硅牺牲层；

（6）采用磁控溅射工艺沉积金属层；

（7）采用湿法或干法工艺去除第二层牺牲层氧化硅薄膜，至此，金属线条图形加工完毕。

3.根据权利要求2所述的一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，步骤（1）中所述的氮化硅牺牲层的厚度为200nm~300nm。

4.根据权利要求2所述的一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，第二层牺牲层的厚度为300nm~500nm。

5.根据权利要求2所述的一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，步骤（4）中所述的干法刻蚀工艺的参数为刻蚀气体CF4:CHF3=1:1，功率400~800W，压力20~100mT。

6.根据权利要求2所述的一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，步骤（5）中所述的普通去胶工艺参数为：280℃，氧气3000sccm，压力1000mT，时间1分钟，功率1000W，湿法工艺的参数为：浓磷酸，160℃。

7.根据权利要求2所述的一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，步骤（6）中所述的磁控溅射工艺的参数为：直流功率0.3~3KW，温度130℃，Ar 0.9Pa。

8.根据权利要求2所述的一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，步骤（7）中湿法的参数为：40%NH₄F:49%HF=5:1；干法参数为：刻蚀气体CF4:CHF3=1:1，功率400~800W，压力20~100mT。