[发明专利]防污层除去方法及防污层形成方法

权利要求书

1.一种防污层除去方法，其是将通过氟系防污涂布剂在对象构件的表面上形成的防污层从该对象构件上除去的防污层除去方法，其特征在于，将形成有防污层的对象构件配置在相对湿度为50％以上的水蒸气气氛下，在该状态下对露出在所述水蒸气气氛中的防污层的表面照射真空紫外光，由此除去防污层。

2.根据权利要求1所述的防污层除去方法，其特征在于，所述防污层含有具有防污功能的氟系官能团和使氟系官能团键合到所述对象构件上的偶联基，偶联基为硅氧烷基或硫醇基。

3.根据权利要求1或2所述的防污层除去方法，其特征在于，其是下述的方法：在支撑基座上配置所述对象构件从而在所述水蒸气气氛下通过支撑基座支撑所述对象构件，在该状态下照射所述真空紫外光，由此除去防污层；

并且，支撑基座不透射所述真空紫外光。

4.根据权利要求1或2所述的防污层除去方法，其特征在于，其是下述的方法：在支撑基座上配置所述对象构件从而在所述水蒸气气氛下通过支撑基座支撑所述对象构件，在该状态下照射所述真空紫外光，由此除去防污层；

并且，在支撑基座上将浆料状的定位体延展设置成层状，在该定位体上配置所述对象构件，利用所述对象构件的重量使定位体变形成凹部状，通过该变形使所述对象构件的位置固定在支撑基座上。

5.根据权利要求4所述的防污层除去方法，其特征在于，所述定位体不会通过所述真空紫外光的照射而被分解除去。

6.根据权利要求1或2所述的防污层除去方法，其特征在于，使用具有与所述对象构件的形成所述防污层的表面区域中的要除去防污层的区域相当的尺寸形状的开口的掩模，使要除去防污层的区域处于通过所述开口而露出的状态，在该状态下照射所述真空紫外线。

7.根据权利要求1或2所述的防污层除去方法，其特征在于，所述真空紫外光的波长为176nm以下。

8.一种防污层形成方法，其是仅在对象构件的表面的特定的选择区域形成防污层的防污层形成方法，其特征在于，其具有：

在包含选择区域和该选择区域以外的区域即非选择区域的区域内，使用氟系防污层涂布剂形成防污层的防污层形成工序；和

在防污层形成工序后，在使选择区域的防污层残留的同时除去非选择区域的防污层的防污层除去工序，

并且，防污层除去工序为如下工序：在相对湿度为50％以上的水蒸气气氛下配置在选择区域和非选择区域形成有防污层的对象构件，在该状态下对露出在所述水蒸气气氛中的非选择区域的防污层的表面照射真空紫外光，对选择区域的防污层不照射该真空紫外光。

9.根据权利要求8所述的防污层形成方法，其特征在于，所述防污层含有具有防污功能的氟系官能团和使氟系官能团键合到所述对象构件上的偶联基，偶联基为硅氧烷基或硫醇基。

10.根据权利要求8或9所述的防污层形成方法，其特征在于，所述防污层除去工序为如下工序：以所述选择区域为下侧的方式将所述对象构件配置在支撑基座上从而在所述水蒸气气氛下通过支撑基座支撑所述对象构件，在该状态下照射所述真空紫外光，由此除去防污层；

并且，支撑基座不透射所述真空紫外光。

11.根据权利要求8或9所述的防污层形成方法，其特征在于，所述防污层除去工序为如下工序：以所述选择区域为下侧的方式将所述对象构件配置在支撑基座上从而在所述水蒸气气氛下通过支撑基座支撑所述对象构件，在该状态下照射所述真空紫外光，由此除去防污层；

并且，在支撑基座上将浆料状的定位体延展设置成层状，在该定位体上以所述选择区域为下侧的方式配置所述对象构件，利用所述对象构件的重量使定位体变形成凹部状，通过该变形来使支撑基座上的所述对象构件的位置固定。

12.根据权利要求11所述的防污层形成方法，其特征在于，所述定位体不会通过所述真空紫外光的照射而被分解除去。

13.根据权利要求8或9所述的防污层形成方法，其特征在于，使用具有与所述对象构件的表面的非选择区域相当的尺寸形状的开口的掩模，使仅所述对象构件的非选择区域处于通过所述开口而露出的状态，在该状态下照射所述真空紫外线。

14.根据权利要求8或9所述的防污层形成方法，其特征在于，所述真空紫外光的波长为176nm以下。