[发明专利]铸锭炉及控制类单晶铸造过程中籽晶保留高度的方法有效
申请号: | 201310573814.X | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN103590096A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 潘家明;魏景拓 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铸锭 控制 类单晶 铸造 过程 籽晶 保留 高度 方法 | ||
1.一种铸锭炉,包括:
侧部隔热层(60);
底部隔热层(90),呈环状,所述环状的内环位置设置有百叶窗(40),所述底部隔热层(90)与所述侧部隔热层(60)共同围成一个腔体;
坩埚(50),设置在所述腔体内;
隔热挡板(70),设置在所述底部隔热层(90)与所述侧部隔热层(60)相接处,且朝向所述腔体的中心延伸,
顶部测温点(51),设置在所述侧部隔热层(60)与所述坩埚(50)之间,且位于所述腔体的顶部的1/4~1/5处,
其特征在于,所述隔热挡板(70)的位置是可调整的,以调整所述铸锭炉内热场的高温区和低温区的空间分布。
2.一种控制类单晶铸锭过程中籽晶保留高度的方法,其特征在于,包括采用如权利要求1所述的铸锭炉进行类单晶的铸锭,并通过调整铸锭炉热场内隔热挡板(70)的位置调整高温区和低温区的空间分布。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步:维持所述顶部测温点(51)温度为1135℃~1175℃,所述百叶窗(40)呈关闭状态,所述隔热挡板(70)的位置为原始位置,时间为60~120分钟;
第二步,所述顶部测温点(51)温度升至1480℃~1510℃,所述百叶窗(40)呈关闭状态,所述隔热挡板(70)位置为原始位置,时间为180~300分钟;
第三步,在30~60分钟内,所述顶部测温点(51)温度升至1520℃~1550℃,所述隔热挡板(70)位置上升3~7厘米;
第四步:维持所述第三步最终状态不变270~330分钟;
第五步:在30~60分钟内,所述顶部测温点(51)温度降至1495~1505℃,所述隔热挡板(70)的位置在所述第三步的基础上再上升8~12厘米;
第六步:维持所述第五步最终状态不变直至熔化段结束。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步:维持顶部测温点(51)温度为1145℃~1155℃,所述百叶窗(40)呈关闭状态,所述隔热挡板(70)的位置为原始位置,时间为60~90分钟;
第二步,所述顶部测温点(51)温度升至1495℃~1505℃,所述百叶窗(40)呈关闭状态,所述隔热挡板(70)位置为原始位置,时间为190~230分钟;
第三步,在30~40分钟内,所述顶部测温点(51)温度升至1520℃~1530℃,所述隔热挡板(70)位置上升4.5~5.5厘米;
第四步:维持所述第三步最终状态不变280~320分钟;
第五步:在30~60分钟内,所述顶部测温点(51)温度降至1495~1505℃,所述隔热挡板(70)的位置在所述第三步的基础上再上升9.5~10.5厘米;
第六步:维持所述第五步最终状态不变直至熔化段结束。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步:维持顶部测温点(51)温度为1150℃,所述百叶窗(40)呈关闭状态,所述隔热挡板(70)的位置为原始位置,时间为90分钟;
第二步,所述顶部测温点(51)温度升至1500℃,所述百叶窗(40)呈关闭状态,所述隔热挡板(70)位置为原始位置,时间为210分钟;
第三步,在30~60分钟内,所述顶部测温点(51)温度升至1525℃,所述隔热挡板(70)位置上升5厘米,时间为30分钟;
第四步:维持所述第三步最终状态不变300分钟;
第五步:在30~60分钟内,所述顶部测温点(51)温度降至1500℃,所述隔热挡板(70)的位置在所述第三步的基础上再上升10厘米;
第六步:维持所述第五步最终状态不变直至熔化段结束。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述第一步进一步包括:通过所述铸锭炉的真空泵将硅料表面挥发出的杂质排出。
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