[发明专利]一种半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，包括：

反应腔，反应腔内包括一个基座，基座上设置有绝缘材料支撑盘，支撑盘上设置有待处理基片，

射频发生装置，发生射频电磁场并施加到反应腔内；

反应腔底部和侧壁包括电场屏蔽导体，屏蔽反应腔内的电场；

所述支撑盘内包括第一加热装置加热所述支撑盘的第一区域，一个第二加热装置围绕在第一加入装置外围加热所述支撑盘的第二区域，

第一热电偶包括一个探测端设置于所述第一区域，还包括一个第二端连接到一个温度检测器；

第二热电偶包括一个探测端设置于所述第二区域，还包括一个第二端连接到所述温度检测器；

所述温度检测器位于由所述电场屏蔽导体所包围的受射频电场影响区域内，处于电悬浮状态，接收并处理来自第一热电偶和第二热电偶的电信号并获得第一区域和第二区域的温度信号，通过一个传输光纤传输所述温度信号到位于屏蔽导体外侧的工艺控制器。

2.如权利要求1所述半导体处理装置，其特征在于，所述温度检测器通过一个滤波器连接到屏蔽导体外侧的直流电源。

3.如权利要求2所述半导体处理装置，其特征在于，所述滤波器安装在所述屏蔽导体内侧。

4.如权利要求1所述半导体处理装置，其特征在于，所述第一加热装置通过第一加热滤波器连接到第一加热电源；所述第二加热装置通过第二加热滤波器连接到第二加热电源。

5.如权利要求4所述半导体处理装置，其特征在于，所述工艺控制器根据所述第一区域和第二区域的温度信号控制第一加热电源和第二加热电源的功率输出。

6.一种半导体处理装置，包括：

反应腔，反应腔内包括一个基座，基座上设置有绝缘材料支撑盘，支撑盘上设置有待处理基片，

一个射频发生装置，产生射频电磁场并施加到反应腔内，

反应腔底部和侧壁包括电场屏蔽导体，屏蔽反应腔内的电场，

一个电信号检测器位于反应腔内，所述电信号检测器包括至少一个信号输入端，所述检测器的信号输入端连接到一个工艺参数探头的信号输出端，所述工艺参数探头还包括一个检测端设置于基座或支撑盘，

所述电信号检测器位于由所述电场屏蔽导体所包围的受射频电场影响区域内，处于电悬浮状态，处理来自工艺参数探头的信号以获得工艺参数数据，所述电信号检测器将所述工艺参数数据转换为光学信号，并通过一个光学信号输出端输出，

一个传输光纤连接在所述电信号检测器的光学信号输出端和位于电场屏蔽导体外侧的工艺控制器之间。

7.如权利要求6所述半导体处理装置，其特征在于，所述电信号检测器处于电浮地状态。

8.如权利要求6所述半导体处理装置，其特征在于，所述工艺参数是支撑盘温度或者基片的电势或者支撑盘的漏电流。

9.如权利要求6所述半导体处理装置，其特征在于，所述电信号检测器包括多个信号输入端，每个信号输入端连接到一个工艺参数探头的信号输出端，所述多个信号探头的检测端位于基座或支撑盘不同区域，用于检测不同的工艺参数。

10.如权利要求6所述半导体处理装置，其特征在于，所述电信号检测器包括多个信号输入端，每个信号输入端连接到一个工艺参数探头的信号输出端，所述多个工艺参数探头的检测端设置于支撑盘中不同区域，用于检测支撑盘对应的不同区域的温度。

11.如权利要求10所述半导体处理装置，其特征在于，所述支撑盘不同的区域呈网格状分布，且区域数量大于8。