[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED），其在10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

但在现有的有机电致发光器件中，电子注入层是重要的功能层之一，在制造过程中，由于电子注入层所选材料的隔绝水氧能力不强，水汽会经由裂缝渗入而影响薄膜晶体管的电性。同时所选材料也不利于有利于电子的注入，故电子的传输速率较低，比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且易使其复合的区域不在发光区域内，从而使发光效率降低。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法以提高有机电致发光器件的出光效率。

本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为：一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括第一铷化合物层、有机硅小分子掺杂层与第二铷化合物层；其中，所述的第一铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷；

所述有机硅小分子掺杂层的材质为有机硅小分子与电子传输材料，所述有机硅小分子层的材质为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；

所述第二铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷。

所述有机硅小分子材料与所述电子传输材料的掺杂质量比为2:1～6:1。

所述第一铷化合物层厚度为10-30nm，所述有机硅小分子掺杂层厚度为30-80nm，所述第一铷化合物层厚度为5-20nm。

所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；

所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）-N，N′-二苯基-4,4′-联苯二胺；

所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯或8-羟基喹啉铝；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述阴极的材质为银、铝、铂或金。

本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤：（a）在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层；

（b）使用热阻蒸镀设备在步骤（a）制得的电子传输层上热阻蒸镀制备第一铷化合物层，然后在所述第一铷化合物层上热阻蒸镀制备有机硅小分子掺杂层，再在所述有机硅小分子掺杂层上热阻蒸镀制备第二铷化合物层，从而得到电子注入层；其中，

所述的第一铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷；

所述有机硅小分子掺杂层的材质为有机硅小分子与电子传输材料，所述有机硅小分子层的材质为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；

所述第二铷化合物层材料为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷。

（c）在步骤（b）制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。

在所述步骤（a）中，所述磁控溅射设备的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm²；所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s。