[发明专利]用于驱动半导体器件的驱动器电路、系统及方法

权利要求书

1.一种用于驱动半导体器件的驱动器电路，所述驱动器电路包括：

降压转换器，其被配置为生成基线电流；以及

电容器，其耦合在所述降压转换器的输出端与地之间，所述电容器被配置为在所述降压转换器的关断期间储存电荷，并在所述降压转换器的接通期间对所储存的电荷进行放电作为峰值电流，

其中，所述基线电流在所述电容器完全放电之前达到电流极限，并且在所述驱动器电路的输出端处的输出电流至少部分地基于所述基线电流和所述峰值电流。

2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述半导体器件为双极性结型晶体管，并且其中，所述驱动器电路被配置为将所述输出电流输出到所述双极性结型晶体管的基极端子。

3.根据权利要求2所述的驱动器电路，其中，所述双极性结型晶体管为碳化硅器件。

4.根据权利要求1所述的驱动器电路，进一步包括：

受控开关，其耦合在所述降压转换器的输出端与所述驱动器电路的输出端之间，所述受控开关被配置为在所述降压转换器的接通期间导通，

其中，所述电容器被配置为：与所述受控开关导通时相比，所述电容器在所述受控开关不导通时充电至更高的电压。

5.根据权利要求4所述的驱动器电路，其中，所述电容器被配置为：当所述受控开关开始导通时，将所述更高的电压放电到所述半导体器件中的双极性结型晶体管的基极端子。

6.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述峰值电流大于至少两倍的所述基线电流的电流极限。

7.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述降压转换器包括：

电感器，所述电感器耦合在输入电压源与所述降压转换器的输出端之间；以及

第一开关，所述第一开关耦合在所述电压源与所述电感器之间。

8.根据权利要求7所述的驱动器电路，其中，所述降压转换器进一步包括：

控制电路，所述控制电路被配置为控制所述第一开关导通来增加所述基线电流，并控制所述第一开关不导通来减少所述基线电流；以及

二极管，所述二极管具有耦合到地的第一端和耦合在所述电感器与所述第一开关之间的第二端，所述二极管被配置为在所述控制电路的关断期间为电感器电流提供通路。

9.根据权利要求1所述的驱动器电路，进一步包括：

变压器，所述变压器被配置为基于外部电流来生成变压器电流，

其中，在所述驱动器电路的输出端处的所述输出电流至少部分地基于所述变压器电流。

10.根据权利要求9所述的驱动器电路，进一步包括：

二极管，所述二极管具有耦合到所述降压转换器的输出端上的第一端；以及

电阻器，所述电阻器耦合在所述二极管的第二端与地之间，

其中，所述电流变压器与所述电阻器并联。

11.根据权利要求9所述的驱动器电路，其中，所述基线电流的电流极限近似等于所述半导体器件中的双极性结型晶体管的操作所需的最小电流。

12.根据权利要求11所述的驱动器电路，其中，所述电流变压器被配置为基于所述外部电流来增加所述变压器电流。

13.一种系统，所述系统包括：

降压转换器，其被配置为生成基线电流；以及

电容器，其耦合在所述降压转换器的输出端与地之间，所述电容器被配置为在所述降压转换器的关断期间储存电荷，并在所述降压转换器的接通期间对所储存的电荷进行放电作为峰值电流，其中

所述基线电流在所述电容器完全放电之前达到电流极限，

输出电流至少部分地基于所述基线电流和所述峰值电流，以及

所述峰值电流大于至少两倍的所述基线电流的电流极限。

14.根据权利要求13所述的系统，进一步包括：

包括碳化硅的双极性结型晶体管，所述双极性结型晶体管的基极被配置为接收所述输出电流。

15.根据权利要求13所述的系统，进一步包括：

受控开关，其耦合到所述降压转换器的输出端，所述受控开关被配置为在所述降压转换器的接通期间导通，

其中，所述电容器被配置为：与所述受控开关导通时相比，所述电容器在所述受控开关不导通时被充电至更高的电压。