[发明专利]一种半导体处理装置的供气系统

权利要求书

1.一种半导体处理装置的供气系统，其特征在于，包括：

压力调节器，流量控制器，反应腔；

压力调节器包括一个输入端接收来自气源的处理气体，还包括一个输出端输出处理气体；

流量控制器包括一个输入端接收来自压力调节器的处理气体，还包括一个输出端连接到反应腔；

其特征在于，在压力调节器输出端与流量控制器输入端之间还连接有储气腔，所述储气腔内的储气空间大于5立方厘米。

2.如权利要求1所述供气系统，其特征在于，所述压力调节器输出端与流量控制器输入端之间还包括至少一个气体监控装置，所述气体监控装置选自气压计、气体过滤器、气动阀门三种部件之一，或者所述三种部件中任意多种部件的串联组合。

3.如权利要求2所述供气系统，其特征在于，还包括手动阀门联通在气源和压力调节器输入端之间。

4.如权利要求1所述供气系统，其特征在于，所述储气空间是一个储气筒。

5.如权利要求1所述供气系统，其特征在于，所述储气空间是具有预定长度的气体管道。

6.如权利要求1所述供气系统，其特征在于，所述储气空间大于5小于100立方厘米。

7.一种处理气体供气系统，其特征在于，如权利要求1所述的供气系统用于循环交替进行的刻蚀步骤和沉积步骤，在晶体硅基片上刻蚀形成深度大于30um的深孔。