[发明专利]一种双极性薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201310575035.3 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103606558A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘权;梁凌燕;罗浩;邓福岭;曹鸿涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种双极性薄膜晶体管，从下至上依次包括：衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层，所述沟道层上设有源极和漏极，其特征在于，源极与沟道层的接触面和漏极与沟道层的接触面上分别设有透明的势垒层，所述势垒层材质的禁带宽度大于所述的沟道层材质的禁带宽度。
2.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述的沟道层材质为SnO。
3.如权利要求2所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述势垒层材质为氧化铝。
4.如权利要求2或3所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述势垒层的厚度为1～10nm。
5.如权利要求4所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述势垒层的厚度为6nm。
6.如权利要求5所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述SnO沟道层的厚度为20～40nm。
7.如权利要求6所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层的厚度为35nm。
8.如权利要求7所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极为Ni/Au金属电极。
9.如权利要求8所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为n型重掺杂的热氧化硅片，所述热氧化硅片还兼做栅电极层和栅介质层。
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