[发明专利]可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺及检测方法无效
| 申请号： | 201310575640.0 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103556216A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 马洋;徐强;王岩;谷守伟;王永青;贾海洋;梁山;王军磊;贺金龙;陈康;张艳磊;高树良;沈浩平 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 010070 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 头部 漩涡 缺陷 直拉单晶 生产工艺 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺，其特征在于：在放肩工艺中，设定放肩时晶升速度为40-80mm/hr，设定放肩时的热场温度降幅为0-60sp，控制放肩长度为100-130mm，顶角角度为40-80°。
2.如权利要求1所述的可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺，其特征在于：在放肩工艺中，设定晶转10-12r/min、埚转8-10r/min、氩气流量60-80slpm、炉压10-20Torr。
3.一种采取如权利要求1所述的可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺的检测方法，其特征在于：取被检测样片在抛光液中抛光3-5min，在扩散炉温度为850℃中恒温40min，冷却后，在腐蚀液中腐蚀3-5 min，然后用水处理干净，即可裸眼从硅片表面观测出单晶头部漩涡缺陷情况。
4.如权利要求3所述的可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺的检测方法，其特征在于：所述抛光液选用HF和HNO3的混合液，其体积比为HF：HNO3=1：4。
5.如权利要求3所述的可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺的检测方法，其特征在于：所述腐蚀液选用HF、HNO3和CrO3的混合液，其摩尔比为HF：HNO3：CrO3=153：31：1。
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