[发明专利]一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置

权利要求书

1.一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置，其特征是，具体为一个真空室（1），真空室顶部设置有通向真空室内的中能注入离子源（2），真空室左右两个侧壁上各设置有一个通向真空室内的溅射离子源（7），真空室后壁上方设置有一个通向真空室内的低能辅助离子源（3），真空室后壁下方设置有两个与分子泵连通的抽气管（10）；真空室内设置有样品台（8），样品台（8）通过转轴（9）与真空室的底部连接；样品台（8）上方设有两个左右对称布置的磁控溅射靶头（5），磁控溅射靶头（5）通过磁控溅射支架（4）与真空室的顶部连接；磁控溅射靶头（5）上方设有两个左右对称布置的离子束转靶（6）。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征是，所述样品台（8）的圆周上均匀分布有六个小样品台，离子束镀膜工位（B）和磁控溅射镀膜工位（A、A1、A2）位于样品台的圆周上，通过样品台公转可将样品台上某个小样品台与镀膜工位（A、A1、A2或B）相重合。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征是，离子束镀膜工位（B）为实施单靶或双靶离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、或者离子束直接沉积的镀膜工位。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征是，磁控溅射镀膜工位（A）为实施双靶磁控溅射聚焦共沉积的镀膜工位。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征是，磁控溅射镀膜工位（A1）或（A2）为实施单靶磁控垂直溅射沉积的镀膜工位。