[发明专利]铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料，其特征在于：其化学通式为aGeS₂-bGa₂S₃-cRCl：xTm³⁺，其中，a为0.5～0.7，b为0.3～0.5，c为0.05～0.15，x为0.005～0.03，R选自锂元素，钠元素，钾元素，铷元素和铯元素中至少一种。

2.根据权利要求1所述的铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料，其特征在于，所述a为0.6，b为0.4，c为0.08，x为0.02。

3.一种铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、根据aGeS₂-bGa₂S₃-cRCl：xTm³⁺各元素的化学计量比称取GeS₂，Ga₂S₃，RCl和Tm₂S₃粉体，其中，a为0.5～0.7，b为0.3～0.5，c为0.05～0.15，x为0.005～0.03，RCl选自氯化锂，氯化钠，氯化钾，氯化铷和氯化铯中至少一种；

步骤二、将所述步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；

步骤三、将所述前驱体在800℃～1000℃下灼烧0.5小时～5小时，

步骤四、将所述步骤三中处理后的前躯体冷却到100℃～300℃，再保温0.5小时～3小时，冷却到室温，得到化学通式为aGeS₂-bGa₂S₃-cRCl：xTm³⁺的铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料。

4.根据权利要求3所述的铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述GeS₂，Ga₂S₃，RCl和Tm₂S₃粉体各组分摩尔比为（0.5～0.7）：（0.3～0.5）：（0.05～0.15）：（0.005～0.03）。

5.根据权利要求3所述的铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述GeS₂，Ga₂S₃，RCl和Tm₂S₃粉体各组分摩尔比为0.6：0.4：0.08：0.02。

6.根据权利要求3所述的铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述混合是将所述粉体在刚玉钵中研磨20分钟～60分钟。

7.根据权利要求3所述的铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤三中将所述前驱体在900℃下灼烧3小时。

8.根据权利要求3所述的铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤四中的冷却温度为200℃，保温时间为2小时。

9.一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、阳极及透明封装层，其特征在于，所述透明封装层中分散有铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料，所述铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料的化学式为aGeS₂-bGa₂S₃-cRCl：xTm³⁺，其中，a为0.5～0.7，b为0.3～0.5，c为0.05～0.15，x为0.005～0.03，R选自锂元素，钠元素，钾元素，铷元素和铯元素中至少一种。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其特征在于，所述a为0.6，b为0.4，c为0.08，x为0.02。