[发明专利]一种提高熔接后光纤抗拉强度的工艺方法

权利要求书

1.一种提高熔接后光纤抗拉强度的工艺方法，其特征在于，实现步骤如下：

第一步，以热剥离的方式剥离光纤A（1）、光纤B（2）外部的涂覆层；加热温度控制在110℃-130℃，加热时间为6s-8s，剥离刀具的刀口间隙大于光纤直径6um-10um；

第二步，超声波清洗剥离后的裸光纤A（1）、光纤B（2）；清洗溶剂为纯度高于99.9%的乙醇或丙酮，超声波频率为40KHz-60KHz，超声波功率为6W-10W，清洗时间6s-12s，清洗时未剥除的光纤涂覆层进入液面下1mm-3mm；

第三步，切割清洁后的裸光纤A（1）、光纤B（2）端面，切割的角度不大于1.5°；

第四步，将切割后的光纤A（1）、光纤B（2）装入光纤熔接机上使两根光纤熔接在一起，形成光纤熔接点（3）；

第五步，在光纤熔接完成后10min以内，以熔接点（3）为中心1mm-3mm内的区域来回扫描式再加热熔接热影响区（4）的光纤段，来回扫描式加热的速度控制在0.5mm/s-2mm/s，再加热温度应略高于光纤包层材料的最低软化温度，同时低于光纤熔接温度，再加热时间为1s-4s。

2.根据权利要求1所述的提高熔接后光纤抗拉强度的工艺方法，其特征在于：光纤A（1）、光纤B（2）为同种或异种光纤，其主要材料为石英的普通单模光纤、普通多模光纤、PANDA型保偏光纤、BOWTIE型保偏光纤、TIGER型保偏光纤或一字型保偏光纤。

3.根据权利要求1所述的提高熔接后光纤抗拉强度的工艺方法，其特征在于：光纤A（1）、光纤B（2）为不掺稀土元素的光纤。

4.根据权利要求1所述的提高熔接后光纤抗拉强度的工艺方法，其特征在于：光纤的包层直径是Φ125μm、Φ80μm、Φ60μm或Φ40μm。

5.根据权利要求1所述的提高熔接后光纤抗拉强度的工艺方法，其特征在于：光纤的标称工作波长是850nm、980nm、1310nm、1480nm或1550nm。

6.根据权利要求1所述的提高熔接后光纤抗拉强度的工艺方法，其特征在于：再加热方法为尖端脉冲放电加热、电热源加热或火源加热。