[发明专利]多段距离选择与超低功率的全模拟式微波检测器

权利要求书

1.一种微波检测器，其特征在于，包括：

一主动式天线模块，用来以一扫频周期朝一目标发射一第一调频连续波信号，并接收由所述目标反射回来的一第二调频连续波信号；

一调制模块，电性连接于所述主动式天线模块，用来根据从多个距离闸中选取的一距离闸产生一调制信号给所述主动式天线模块，所述第一调频连续波信号的频宽根据所述调制信号的振幅调整，其中所述多个距离闸是一对一对应多个第一调频连续波信号的频宽；

一第一解调器，电性连接所述主动式天线模块，用来根据一距离闸解调出差频信号，所述差频信号具有所述第一调频连续波信号和所述第二调频连续波信号的频率差；

一第二解调器，电性连接所述第一解调器，用来解调所述差频信号以产生一多普勒信号，所述多普勒信号的频率等于一上扫差频和一下扫差频的频率差；以及

一鉴别电路，电性连接所述第二解调器，用来比较所述距离闸内的所述目标所对应的所述多普勒信号以及杂波积分后的电压差，以输出一触发信号。

2.根据权利要求1所述的微波检测器，其特征在于，所述主动式天线模块包括：

一回路天线，包含一发射端以及一接收端，所述发射端用来传递所述第一调频连续波信号，所述接收端用来传递所述第二调频连续波信号；以及

一射频晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，所述第二端耦接所述发射端，所述控制端耦接所述接收端，且所述控制端与所述第二端为反相。

3.根据权利要求2所述的微波检测器，其特征在于，所述微波检测器还包括：

一第一低通滤波器，电性连接所述射频晶体管的第一端，其中所述第一低通滤波器与所述射频晶体管形成所述第一解调器。

4.根据权利要求3所述的微波检测器，其特征在于，所述第二解调器包括：

一包迹检测器，电性连接所述第一低通滤波器；及

一第二低通滤波器，电性连接包迹检测器，用来输出所述多普勒信号。

5.根据权利要求2所述的微波检测器，其特征在于，所述射频晶体管为一双极性结型晶体管，所述控制端为一基极，所述第一端为一发射极，且所述第二端为一集电极。

6.根据权利要求2所述的微波检测器，其特征在于，所述射频晶体管为一场效晶体管，且所述场效晶体管包含一赝配高电子迁移率晶体管，所述控制端为一栅极，所述第一端为一源极，且所述第二端为一漏极。

7.根据权利要求2所述的微波检测器，其特征在于，所述微波检测器还包括一第一电容，所述第一电容的两端跨接所述射频晶体管的所述第一端和所述第二端，其中所述回路天线包含：

一第一电感，耦接于所述射频晶体管的所述第二端；

一第二电感；

一第三电感，耦接于所述射频晶体管的所述控制端；

一第二电容，耦接于所述第一电感和所述第二电感之间；以及

一第三电容，耦接于所述第二电感和所述第三电感之间。

8.根据权利要求2所述的微波检测器，其特征在于，所述主动式天线模块包含一基板，包含彼此相对的一第一表面以及一第二表面；

一第一微带天线金属，设置在所述基板的第一表面之上；

一第二微带天线金属，设置在所述基板的第一表面之上；

一第三微带天线金属，设置在所述基板的第一表面之上；

一第一耦合金属片，设置在所述基板的第二表面之上；

一第二耦合金属片，设置在所述基板的第二表面之上；以及

一第三耦合金属片，设置在所述基板的第二表面之上；

所述射频晶体管，设置在所述第一表面，所述射频晶体管的控制端连接至所述第三微带金属，且所述第一端以及所述第二端分别连接至所述第一耦合金属片以及所述第一微带金属；

其中，所述第一微带天线金属的一第一部分以及所述第一耦合金属片构成一第一电容，所述第一微带天线金属的一第二部分、与所述第一微带天线金属的所述第一部分相邻的所述第二微带天线金属的一第一部分以及所述第二耦合金属片构成一第三电容，所述第二微带天线金属的一第二部分、与所述第二微带天线金属的所述第二部分相邻的所述第三微带天线金属以及所述第三耦合金属片构成一第三电容。