[发明专利]铈掺杂硫代钼酸盐发光材料、制备方法及其应用

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种铈掺杂硫代钼酸盐发光材料、其制备方法、铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。

【背景技术】

薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铈掺杂硫代钼酸盐发光材料，仍未见报道。

【发明内容】

基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铈掺杂硫代钼酸盐发光材料、其制备方法、铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铈掺杂硫代钼酸盐发光材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。

一种铈掺杂硫代钼酸盐发光材料，其化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基质，Ce³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种。

所述x为0.02。

一种铈掺杂硫代钼酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤：

根据MeMo₂S₈:xCe³⁺各元素的化学计量比称取MeS，MoS₃和CeS₂粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种；及

将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺的铈掺杂硫代钼酸盐发光材料。

一种铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜，该铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜的材料的化学通式为MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基质，Ce³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种。

一种铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：

根据MeMo₂S₈:xCe³⁺各元素的化学计量比称取MeS，MoS₃和CeS₂粉体并混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时得到靶材，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种；

将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，接着进行制膜，得到化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺的铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜。

还包括步骤：将所述铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h。

一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铈掺杂硫代钼酸盐发光材料，该铈掺杂硫代钼酸盐发光材料的化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基质，Ce³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种。

一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；