[发明专利]具有背面反射体的光伏器件在审
| 申请号： | 201310578361.X | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104425642A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吴志力;许丽;严文材;吴忠宪 | 申请（专利权）人： | 台积太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/054 | 分类号： | H01L31/054;H01L31/0749;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 背面 反射 器件 | ||
1.一种光伏器件，包括：
衬底；
背面电极层，形成在所述衬底之上；
背面反射体，形成在所述背面电极层之上；
吸收层，形成在所述背面电极层和所述背面反射体之上；
缓冲层，形成在所述吸收层之上；以及
正面接触层，形成在所述缓冲层之上。
2.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述背面反射体形成为多条平行线。
3.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述背面反射体形成为网格结构。
4.根据权利要求2所述的光伏器件，其中，所述背面反射体由具有1.2和3.0之间的折射率的第一反射体材料形成。
5.根据权利要求2所述的光伏器件，其中，所述背面反射体由至少一层第一反射体材料和至少一层第二反射体材料形成，所述第二反射体材料形成为与所述背面电极层接触，且所述第一反射体材料形成在所述第二反射体材料之上。
6.根据权利要求5所述的光伏器件，其中，所述第一反射体材料的折射率大于所述第二反射体材料的折射率。
7.根据权利要求6所述的光伏器件，其中，所述第一反射体材料的折射率介于1.5和4.5之间，而所述第二反射体材料的折射率介于1.2和2.5之间。
8.根据权利要求7所述的光伏器件，其中，形成所述背面反射体的至少一层所述第一反射体材料和至少一层所述第二反射体材料的每一层的深度介于30nm和300nm之间。
9.一种形成光伏器件的方法，包括：
在衬底之上形成背面电极层；
在所述背面电极层之上形成包括多条平行线的背面反射体；
在所述背面电极层和所述背面反射体之上形成吸收层；
在所述吸收层之上形成缓冲层；以及
在所述缓冲层之上形成正面接触层。
10.一种光伏器件，包括：
衬底，包括玻璃、塑料或金属箔；
背面电极层，位于所述衬底之上；
背面反射体，位于所述背面电极层之上且覆盖所述背面电极层的表面积的20%到90%，所述背面反射体由至少一层第一反射体材料和至少一层第二反射体材料形成，所述第二反射体材料形成为与所述背面电极层接触，且所述第一反射体材料形成在所述第二反射体材料之上，其中，所述第一反射体材料的折射率大于所述第二反射体材料的折射率；
吸收层，位于所述背面电极层和所述背面反射体之上；
缓冲层，位于所述吸收层之上；以及
正面接触层，形成在所述缓冲层之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
