[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺

权利要求书

1.一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺，其特征在于，包括以下步骤：

在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法沉积粘附层钛薄膜，所述粘附层钛薄膜覆盖在所述二氧化硅上表面；

沉积粘附层钛薄膜之后，采用物理气相沉积方法沉积阻挡层氮化钛薄膜，所述阻挡层氮化钛薄膜覆盖在所述粘附层钛薄膜不与所述二氧化硅相接触的那一表面上；

沉积阻挡层氮化钛薄膜之后，采用物理气相沉积方法沉积铝薄膜，所述铝薄膜覆盖在所述阻挡层氮化钛薄膜不与所述粘附层钛薄膜相接触的那一表面上；

所述铝薄膜不与阻挡层氮化钛薄膜相接触的那一面上沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜不与铝薄膜相接触的那一面上沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在所述铝薄膜不与阻挡层氮化钛薄膜相接触的那一面上直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至所述防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。

2.根据权利要求1所述的一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺，其特征在于，所述铝薄膜不与阻挡层氮化钛薄膜相接触的那一面上沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜不与铝薄膜相接触的那一面上沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在所述铝薄膜不与阻挡层氮化钛薄膜相接触的那一面上直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至所述防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和步骤中，所述氧化铝中的铝元素与氧元素的质量比为0.9～1.5:0.5～1，所述氧化铝薄膜厚度为20～70埃，所述防反射层氮化钛薄膜中钛和氮的质量比为70～80:20～30，所述防反射层氮化钛薄膜厚度为400～600埃，所述防反射层氮化钛薄膜沉积工艺的反应温度为20～40℃。

3.根据权利要求1所述的一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺，其特征在于，所述在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法沉积粘附层钛薄膜，所述粘附层钛薄膜覆盖在所述二氧化硅上表面步骤中，所述粘附层钛薄膜厚度为200～300埃，所述粘附层钛薄膜沉积工艺的反应温度为20～40℃。

4.根据权利要求1所述的一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺，其特征在于，所述沉积粘附层钛薄膜之后，采用物理气相沉积方法沉积阻挡层氮化钛薄膜，所述阻挡层氮化钛薄膜覆盖在所述粘附层钛薄膜不与所述二氧化硅相接触的那一表面上步骤中，所述阻挡层氮化钛薄膜厚度为200～300埃，所述阻挡层氮化钛薄膜沉积工艺的反应温度为20～40℃。

5.根据权利要求1～4任一所述的一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺，其特征在于，所述沉积阻挡层氮化钛薄膜之后，采用物理气相沉积方法沉积铝薄膜，所述铝薄膜覆盖在所述阻挡层氮化钛薄膜不与所述粘附层钛薄膜相接触的那一表面上步骤中，所述铝薄膜厚度为1500～2500埃，所述铝薄膜沉积工艺的反应温度为200～350℃。