[发明专利]一种凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法无效
申请号: | 201310581000.0 | 申请日: | 2013-11-18 |
公开(公告)号: | CN104649677A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 孙永健;郭坚;杨海艳 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/634 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 朱红涛 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 凝胶 制备 氮化 陶瓷 方法 | ||
1.一种凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法,其特征是,该方法的制备工艺如下:
(1)将有机单体和交联剂加入有机溶剂配置成预混液,然后将预混液、分散剂和AlN陶瓷粉体混合球磨;球料比为0.5:1~3:1,有机溶剂的加入量为AlN陶瓷粉末重量的20%~100%,球磨时间为2~50h;所述有机单体是丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、山梨醇聚缩水甘油醚或海茵环氧树脂,所述交联剂为N,N’-亚甲基双丙烯酰胺,所述有机溶剂为醇类,所述分散剂是聚甲基丙烯酸铵、PEI、磷酸酯或聚丙烯酸铵;
(2)在得到的浆料中加入增塑剂,以增加AlN薄片的柔韧性,然后进行二次球磨;球磨时间为4h~30h;
(3)将二次球磨得到的浆料进行真空除泡,同时加入引发剂加以搅拌,搅拌速度为30~100转/min,真空脱泡时间为5~30min;
(4)将真空除泡得到的浆料进行流延操作;
(5)薄片在固化一定时间后具有一定强度和韧性,然后进行干燥处理;坯体干燥到一定程度后,将坯体薄片从流延薄膜上剥离,然后进行切割和打孔,得到AlN陶瓷坯片。
2.如权利要求1所述的凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法,其特征是,步骤(1)中,对于厚度小于等于1.5mm的氮化铝生坯基片,有机单体和交联剂的总加入量为AlN粉体重量的1%~5%,有机单体与交联剂的质量比为10:1~30:1,分散剂的加入量为AlN陶瓷粉体重量的0.1%~1%;对于厚度大于1.5mm的氮化铝生坯基片,有机单体和交联剂的总加入量为AlN粉体重量的3%~10%,有机单体与交联剂的质量比为5:1~20:1,分散剂的加入量为AlN陶瓷粉体重量的0.5%~2%。
3.如权利要求1所述的凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法,其特征是,步骤(2)中,所述增塑剂为甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸酯、聚醚多元醇、油酸或它们的混合物;对于厚度小于等于1.5mm的氮化铝生坯基片,增塑剂的加入量为AlN陶瓷粉末重量的0.2%~5%;对于厚度大于1.5mm的氮化铝生坯基片,需适当增加增塑剂,以保证氮化铝坯体的柔韧性,增塑剂的加入量为AlN陶瓷粉末重量的1%~10%。
4.如权利要求1所述的凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法,其特征是,步骤(3)中,所述引发剂为偶氮二异丁基脒二盐酸盐、四乙基五胺或3,3’-二氨基二丙胺,引发剂的加入量为有机单体质量的0.25%~10%。
5.如权利要求1所述的凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法,其特征是,步骤(4)中,对于厚度小于等于1.5mm的氮化铝生坯基片,流延带速度为2m/min~5m/min,流延带加热区间温度为40~50℃,固化时间为10min~40min;对于厚度大于1.5mm的氮化铝生坯基片,流延带速度为0.2m/min~4m/min,流延带加热区间温度为45~60℃,固化时间为30min~1h。
6.如权利要求1所述的凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法,其特征是,步骤(5)中,对于厚度小于等于1.5mm的氮化铝生坯基片,干燥温度为30~45℃,时间为30min~2h;对于厚度大于1.5mm的氮化铝生坯基片,干燥温度为40~60℃,时间为2h~4h。
7.如权利要求1所述的凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法,其特征是,步骤(1)中,所述有机溶剂为乙醇、丙醇或异丙醇。
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