[发明专利]晶圆传输系统的支撑结构在审
| 申请号： | 201310581032.0 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104658956A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郑金果;刘红义 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振;李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传输 系统 支撑 结构 | ||
1.一种晶圆传输系统的支撑结构，所述支撑结构设置在真空进样室中，其特征在于，包括两个对称设置的支撑柱，两个所述支撑柱结构相同；
所述支撑柱包括垂直柱和第一水平柱，所述垂直柱垂直固定在所述真空进样室中，所述第一水平柱与所述垂直柱垂直固定；
所述第一水平柱的上表面与所述真空进样室的传片口的上沿之间的距离至少为所述晶圆的最大翘曲量的两倍。
2.根据权利要求1所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述晶圆传入时，所述晶圆与所述传片口的上沿之间的距离至少为所述晶圆的最大翘曲量；所述晶圆的下表面与所述第一水平柱的上表面之间的距离至少为所述晶圆的最大翘曲量。
3.根据权利要求1所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述第一水平柱的长度至少为所述晶圆的长度的1/10。
4.根据权利要求3所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，两个所述支撑柱的第一水平柱的相对端之间的距离至少为所述晶圆长度的1/2。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述支撑柱还包括第二水平柱，所述第二水平柱的上表面与所述第一水平柱的下表面之间的距离至少为所述晶圆的最大翘曲量的两倍。
6.根据权利要求5所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述第二水平柱的上表面与所述传片口的下沿之间的距离至少为所述晶圆的最大翘曲量的两倍与机械手的厚度之和。
7.根据权利要求5所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述第一水平柱和第二水平柱的形状相同。
8.根据权利要求1至4任意一项所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述第一水平柱的上表面为粗糙表面。
9.根据权利要求5所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述第二水平柱的上表面为粗糙表面。
10.根据权利要求1所述的晶圆传输系统的支撑结构，其特征在于，所述晶圆为键合晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
