[发明专利]用于校正从存储器装置访问的数据中的错误的设备及方法有效

专利信息
申请号: 201310581828.6 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN103839595B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 迈克尔·安德鲁·坎贝尔;蒂莫西·尼古拉斯·海 申请(专利权)人: ARM有限公司;安谋科技(中国)有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 李晓冬
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 读取 存储器装置 校正 擦除存储器 纠错电路 纠错过程 随机分布 伴随式 存储器区域 符号确定 信息执行 追踪电路 阈值条件 读操作 可定位 访问 检测 输出 配置
【权利要求书】:

1.一种用于校正从存储器装置访问的数据中的错误设备,包括:

存储器装置,包含多个存储器区域并且被配置为存储数据符号及关联的纠错码ECC符号;

读取电路,被配置为执行读操作以从所述存储器装置中输出多个读取符号,所述读取符号包含n个数据符号及关联的m个纠错码符号,以及包含来自每个存储器区域的多于一个读取符号,n及m两者都为大于1的整数值;

伴随式译码器,被配置为根据所述n个数据符号及关联的m个纠错码符号确定伴随式信息;

纠错电路,被配置为响应于指示至少一个读取符号中存在错误的所述伴随式信息,执行纠错过程来试图定位每个含有错误的读取符号并校正这些定位读取符号中的每一个中的错误,如果含有错误的读取符号随机分布于所述多个读取符号中,则所述纠错电路被配置为:如果所述多个读取符号中含有错误的读取符号不多于PMAX,使用所述纠错过程来定位且校正这些错误;以及

错误追踪电路,被配置为追踪含有错误的所述定位读取符号来源于哪些存储器区域,并且在检测到达到错误阈值条件时,将来自所述多个存储器区域的至少一个存储器区域设置为擦除存储器区域;

所述纠错电路响应于由所述错误追踪电路设置的擦除存储器区域,将来自所述擦除存储器区域的每个读取符号视为含有错误的定位读取符号,从而使得当执行所述纠错过程时,并非所有的待定位的所述读取符号都是随机分布的,并且如果所述多个读取符号的不多于x个读取符号含有错误,则所述纠错电路被配置为定位及校正所述错误,其中x大于PMAX。

2.如权利要求1所述的设备,其中:

如果所述擦除存储器区域中的读取符号的总数为q,则所述纠错电路被配置为校正在来自所述擦除存储器区域的所有q个读取符号中的错误,另外,校正在未设置为所述擦除存储器区域的任意存储器区域中的多达p个读取符号中的错误,其中:

p=(m-q)/2,

其中m大于或等于q,p及q为大于或等于0的整数值。

3.如权利要求1所述的设备,其中PMAX等于m/2。

4.如权利要求1所述的设备,其中x的最大值QMAX为m。

5.如权利要求3所述的设备,其中:

在所述读操作期间,由所述读取电路输出的所述多个读取符号包含来自每个存储器区域的多于PMAX个读取符号。

6.如权利要求1所述的设备,其中所述读操作为包含多个差拍的突发读操作,且每个存储器区域在每个差拍期间被访问。

7.如权利要求6所述的设备,其中在所述多个读取符号中存在至少与存在于所述突发读操作中的差拍一样多的纠错码符号。

8.如权利要求7所述的设备,其中所述突发读操作中存在m个差拍。

9.如权利要求1所述的设备,其中所述存储器装置包含多个存储器芯片,每个存储器芯片形成所述多个存储器区域中的一个存储器区域。

10.如权利要求9所述的设备,其中:

所述存储器装置包含双列存储器模块DIMM;

每个存储器芯片具有关联的数据信道;以及

所述读操作为包含多个差拍的突发读操作,在每个差拍期间从每个存储器芯片经由与其关联的数据信道读取至少一个数据单元。

11.如权利要求10所述的设备,其中所述数据单元为一个字节或者一个四位字。

12.如权利要求11所述的设备,其中在每个差拍期间,每个存储器芯片输出一个字节,并且每个读取符号包含所述字节中的一个。

13.如权利要求11所述的设备,其中在每个差拍期间,每个存储器芯片输出一个四位字,且每个读取符号由在连续差拍内的通过相同数据信道输出的两个四位字形成。

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