[发明专利]一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构及其制造方法

权利要求书

1.一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构，其特征在于：包括基板和在基板上刻蚀的周期性纳米电极阵列；所述周期性纳米电极阵列为一组或两组独立线栅，每组线栅宽度为20nm－500nm，高度为20nm－200nm，周期为200nm－1000nm，所述两组线栅相距200nm－500nm。

2.根据权利要求1所述的生物细胞特性测量纳米电极阵列结构，其特征在于：所述每组线栅宽度为20nm－500nm，高度为20nm－200nm，周期为200nm－1000nm。

3.根据权利要求1所述的生物细胞特性测量纳米电极阵列结构，其特征在于：所述两组线栅相距200nm－500nm。

4.根据权利要求1所述的生物细胞特性测量纳米电极阵列结构，其特征在于：所述基板为硅、玻璃、石英或者PMMA材质。

5.一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构的制造方法，其特征在于：在基板上均匀涂附一层导电薄膜，再利用干涉光刻工艺，对导电薄膜进行刻蚀，制备纳米电极阵列，具体步骤如下：

步骤1：通过物理方法将导电材料涂附于基板材料上，形成均匀单层分布导电薄膜，所述薄膜厚度为20nm－200nm；

步骤2：利用干涉光刻工艺对导电薄膜进行刻蚀，在基板材料上形成纳米电极阵列。

6.根据权利要求5所述的一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构的制造方法，其特征在于：所述步骤1中所述物理方法，包括旋涂、电镀或溅射，形成均匀单层分布导电薄膜。

7.根据权利要求5所述的一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构的制造方法，其特征在于：所述步骤1中所述导电材料，包括ITO或Ag、Au、Pt在内导电性好的金属。

8.根据权利要求5所述的一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构的制造方法，其特征在于：所述步骤2中所述干涉光刻工艺，包括利用干涉光刻系统产生纳米结构光场分布，对导电薄膜进行直接加工或间接加工。

9.根据权利要求8所述的一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构的制造方法，其特征在于：所述直接加工是利用干涉光刻系统产生纳米结构光场分布，对导电薄膜进行直接刻蚀形成对应周期性纳米电极阵列。

10.根据权利要求9所述的一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构的制造方法，其特征在于：所述间接加工是利用干涉光刻系统产生纳米结构光场分布，先对感光胶进行曝光，形成周期性纳米结构图形掩膜，再利用化学刻蚀或反应离子刻蚀的方法，对导电薄膜刻蚀形成周期性纳米电极阵列。