[发明专利]蚀刻方法、半导体器件

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成半导体层堆叠结构，所述半导体层堆叠结构包括至少两层在所述基底上并行排列且相互接触的半导体层；

对所述半导体层堆叠结构进行第一蚀刻，以实现图形化；

对所述半导体层堆叠结构进行第二蚀刻，以去除所述第一蚀刻在半导体层交界面处形成的聚合物。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述半导体层堆叠结构包括：在所述基底上并行排列且相互接触的第一半导体层和第二半导体层。

3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一半导体层为硅锗，所述第二半导体层为锗；所述第一蚀刻步骤为干刻，干刻步骤采用的气体包括：氯气、溴化氢气体和氧气，所述聚合物为氧化物聚合物；所述第二蚀刻步骤为氧化物蚀刻。

4.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一半导体层为硅锗，所述第二半导体层为硅；所述第一蚀刻步骤为干刻，干刻步骤采用的气体包括：氯气、溴化氢气体和氧气，所述聚合物为氧化物聚合物；所述第二蚀刻步骤为氧化物蚀刻。

5.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二蚀刻为干刻，采用的气体为氟基气体。

6.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二蚀刻为干刻，采用四氟化碳或三氟甲烷中的一种或多种作为蚀刻气体。

7.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一蚀刻和第二蚀刻在同一蚀刻步骤中完成。

8.如权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，通入氯气、溴化氢气体、氧气和四氟化碳对第一半导体层和第二半导体层进行蚀刻，在去除第一半导体层和第二半导体层形成沟槽的同时，原位去除第一半导体层和第二半导体层交界面处形成的氧化物聚合物。

9.如权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，氯气的流量在2～100sccm的范围内，氧气的流量在2～100sccm的范围内，溴化氢的流量在10～100sccm的范围内。

10.如权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，四氟化碳的流量在2～50sccm的范围内。

11.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1～10任意一权利要求所述的蚀刻方法形成。