[发明专利]金属插塞的形成方法在审
| 申请号： | 201310582617.4 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104658961A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 形成 方法 | ||
1.一种金属插塞的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层上形成牺牲层；
在所述牺牲层和所述介质层中形成通孔，所述通孔贯穿所述牺牲层和所述介质层；
在所述通孔和所述牺牲层表面形成金属层，所述金属层至少填满所述通孔；
进行化学机械平坦化去除位于所述牺牲层表面的所述金属层直至形成金属插塞；
去除所述牺牲层。
2.如权利要求1所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为多晶硅或者芳香族热固性有机材料。
3.如权利要求2所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度范围为
4.如权利要求3所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述牺牲层，所述化学气相沉积工艺的温度小于或等于500℃。
5.如权利要求4所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层，所述湿法刻蚀工艺使用的溶液为碱性溶液或者中性溶液。
6.如权利要求5所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺使用的溶液为四甲基氢氧化铵溶液或者氢氧化钾溶液。
7.如权利要求1所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为钨。
8.如权利要求7所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，所述金属层的形成步骤包括：
形成具有钨晶粒的成核层；
通过含硼的气体以及含钨的气体的混合气体对所述成核层进行表面处理，使所述成核层的所述钨晶粒变大；
在经过所述表面处理后的所述成核层上形成钨锭层。
9.如权利要求1所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底中制作有PMOS晶体管和NMOS晶体管。
10.如权利要求1所述的金属插塞的形成方法，其特征在于，所述化学机械平坦化所采用的研磨液PH值小于7。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
