[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构、太阳电池、电池组件及制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，所述背接触结构位于碲化镉吸收层和背电极层之间，其特征在于：所述背接触结构为氮化钼和氧化钼的混合物层，结构为(1-A)氮化钼-A氧化钼， 0<A<1。

2.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，其特征在于：所述氮化钼的结构包含MoN_0.46、MoN_0.506、MoN、Mo_0.82N、Mo_0.93N、Mo_0.98N、Mo₂N、Mo₂N_0.92、Mo₃N₂或Mo₅N₆。

3.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，其特征在于：所述氧化钼的结构为MoO2或MoO3。

4.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，其特征在于：所述氮化钼和氧化钼的混合物层厚度为30nm—300nm。

5.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，其特征在于：所述背接触结构还包括Cu层，在所述碲化镉吸收层上依次形成Cu层、 氮化钼和氧化钼的混合物层。

6.根据权利要求5所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，其特征在于：所述Cu层厚度为2-20nm。

7.一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于：包括上述权利要求1至6的任意一项所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构。

8.一种碲化镉薄膜太阳电池组件，其特征在于：包括上述权利要求成7的一种碲化镉薄膜太阳电池。

9.制备权利要求1所述碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构的方法，其特征在于：所述氮化钼和氧化钼的混合物层通过反应溅射的方法进行沉积。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所用溅射的方法，使用Ar、N2、O2混合溅射气体，溅射气压为1.0pa—4pa，使用Mo金属为靶材，衬底温度为室温至400度，以110mm直径圆靶，溅射功率为100w-300w。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述Ar、N2、O2三种气体的体积比为：85～99：1～14：1～14。

12.制备权利要求1所述碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构的方法，其特征在于：所述氮化钼和氧化钼的混合物层通过电子束热蒸发的方法沉积，在蒸发过程中通入N₂、O₂混合气体，使用Mo金属作为蒸发源。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述N₂、O₂气体为任意比例。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：蒸发源温度2500度—3000度，气压范围10^-2Pa—10Pa。

15.根据权利要求9、10、11、12、13或14所述的方法，其特征在于：在沉积氮化钼和氧化钼的混合物层后进行退火处理，退火温度为100度-300度，退火时间为10-90分钟。

16.制备权利要求5所述碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构的方法，其特征在于：在所述碲化镉吸收层表面沉积Cu层，在Cu层表面沉积氮化钼和氧化钼的混合物层。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：在沉积氮化钼和氧化钼的混合物层后，还要进行退火处理，退火温度为 150度-250度，退火时间为10-90分钟。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述Cu层的制备方法为电子束热蒸发、磁控溅射或Cu盐扩散法。

19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述沉积氮化钼和氧化钼的混合物层的方法与上述权利要求9和12相同。