[发明专利]一种对场效应晶体管进行建模的方法及电路仿真方法

权利要求书

1.一种对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，包括：

调取被选择场效应晶体管所记录的输入的栅极电压和输入栅极电压时所产生的漏极电流，以得到所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系；所述场效应晶体管包括晶体管结构和浅沟槽隔离结构；

基于所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系获取所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系及所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系；

根据所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系和所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系建立场效应晶体管模型。

2.如权利要求1所述的对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，所述场效应晶体管还包括衬底上形成的浅沟槽，所述浅沟槽包括拐角，所述拐角在所述场效应晶体管的宽度方向形成凹槽；所述浅沟槽隔离结构包括在所述浅沟槽的凹槽内填入的氧化介质。

3.如权利要求2所述的对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，所述场效应晶体管为沟道长度在40nm以下、浅沟槽的拐角凹槽底部距离硅表面大于2nm的器件。

4.如权利要求2所述的对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，所述氧化介质为氧化硅。

5.如权利要求1所述的对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系被所述场效应晶体管的Id0-Vg曲线拟合，所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系被所述晶体管结构的Id1-Vg曲线拟合，所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系被所述浅沟槽隔离结构的Id2-Vg曲线拟合；其中，Vg为所述场效应晶体管的栅极电压，Id0为所述场效应晶体管的漏极电流，Id1为所述第一等效漏极电流，Id2为所述第二等效漏极电流。

6.如权利要求1所述的对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系被所述场效应晶体管的logE_I0-Vg曲线拟合，所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系被所述晶体管结构的logE_I1-Vg曲线拟合，所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系被所述浅沟槽隔离结构的logE_I2-Vg曲线拟合；其中，Vg为所述场效应晶体管的栅极电压，E_I0为所述场效应晶体管宽度归一化后的电子密度，E_I1为所述晶体管结构宽度归一化后的电子密度，E_I2为所述浅沟槽隔离结构宽度归一化后的电子密度。

7.如权利要求1所述的对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系被所述场效应晶体管的E_I0-Vg曲线拟合，所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系被所述晶体管结构的E_I1-Vg曲线拟合，所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系被所述浅沟槽隔离结构的E_I2-Vg曲线拟合；其中，Vg为所述场效应晶体管的栅极电压，E_I0为所述场效应晶体管宽度归一化后的电子密度，E_I1为所述晶体管结构宽度归一化后的电子密度，E_I2为所述浅沟槽隔离结构宽度归一化后的电子密度。

8.如权利要求1所述的对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，所述基于所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系获取所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系及所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系包括：

测量所述场效应晶体管的阈值电压；

根据所测量的阈值电压，得到小于所述阈值电压的第一电压的变化范围和大于所述阈值电压的第二电压的变化范围，所述栅极电压的变化范围包括所述第一电压的变化范围和第二电压的变化范围；所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系为所述场效应晶体管的漏极电流随所述第二电压变化的关系，所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系为所述场效应晶体管的漏极电流随第一电压变化的关系。