[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

传统的有机电致发光器件的电子注入层一般采用氟化锂，但是由于氟化锂熔点过高，蒸镀时必须采用较大电流来蒸镀，而有机蒸镀室的蒸镀室温度过高，会使其他有机功能层受到破坏，并且氟化锂的成膜性较差，容易形成电子缺陷，造成电子的淬灭，降低了电子和空穴的复合几率。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由二元掺杂层和铷的化合物层组成，所述二元掺杂层包括铷的化合物材料和电子传输材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝及N-芳基苯并咪唑中至少一种，所述铷的化合物层材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种。

所述二元掺杂层中所述铷的化合物材料与电子传输材料的质量比为0.1:1～0.8:1。

所述二元掺杂层厚度为10nm～30nm，所述铷的化合物层厚度为1nm～10nm。

所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；

然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层的制备方式为：在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备二元掺杂层，所述二元掺杂层包括铷的化合物材料和电子传输材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝及N-芳基苯并咪唑中至少一种，然后在所述二元掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铷的化合物层，所述铷的化合物掺杂层材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，及，

在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。

所述二元掺杂层中所述铷的化合物材料与电子传输材料的质量比为0.1:1～0.8:1。

所述二元掺杂层厚度为10nm～30nm，所述铷的化合物层厚度为1nm～10nm。

所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，工作电流为1A～5A，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

所述磁控溅射方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。

上述有机电致发光器件及其制备方法，通过制备电子注入层结构，该电子注入层结构层由二元掺杂层和铷的化合物层组成，所述二元掺杂层包括铷的化合物材料和电子传输材料，铷的化合物材料熔点较低，容易蒸镀，蒸镀后可与电子传输材料形成n掺杂，提高电子传输速率，从而使空穴电子的复合几率提高，由于有金属离子的存在，功函数较低，有利于电子的注入，降低了电子的注入势垒，提高电子注入效率从而提高导电性从而提高发光效率。

附图说明