[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成用于加工浅沟槽隔离的掩膜；

步骤S102：通过刻蚀工艺在所述半导体衬底内形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；

步骤S103：在所述沟槽内形成浅沟槽隔离，其中，所述浅沟槽隔离包括位于相邻的两个NMOS器件之间的浅沟槽隔离，并且所述位于相邻的两个NMOS器件之间的浅沟槽隔离具有张应力特性且内部形成有空洞；和/或，所述浅沟槽隔离包括位于相邻的NMOS器件与PMOS器件之间的浅沟槽隔离，并且所述位于相邻的NMOS器件与PMOS器件之间的浅沟槽隔离具有张应力特性且内部形成有空洞。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，使所述浅沟槽隔离的内部具有空洞的方法包括：在所述步骤S103中，在形成所述浅沟槽隔离时提高填充隔离材料的速率；或者，在所述步骤S102中，提高所述沟槽的纵横比。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述浅沟槽隔离的顶端不低于所述半导体衬底的上表面。

4.如权利要求1至3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述空洞在所述浅沟槽隔离内的位置靠近与所述浅沟槽隔离相邻的NMOS器件的沟道区域。

5.如权利要求1至3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述位于相邻的两个NMOS器件之间的浅沟槽隔离的内部的所述空洞，与所述相邻的两个NMOS器件之间的距离相同。

6.如权利要求1至3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述位于相邻的NMOS器件与PMOS器件之间的浅沟槽隔离的内部的所述空洞，位于靠近所述NMOS器件的一侧。

7.如权利要求1至3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述空洞为椭球形，其长直径为0-200nm，短直径为0-50nm；并且，所述空洞的顶端距所述半导体衬底的上表面的距离为-100nm至5nm。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底内的浅沟槽隔离；

其中，所述浅沟槽隔离包括位于相邻的两个NMOS器件之间的浅沟槽隔离，并且所述位于相邻的两个NMOS器件之间的浅沟槽隔离具有张应力特性且内部形成有空洞；

和/或，所述浅沟槽隔离包括位于相邻的NMOS器件与PMOS器件之间的浅沟槽隔离，并且所述位于相邻的NMOS器件与PMOS器件之间的浅沟槽隔离具有张应力特性且内部形成有空洞。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述浅沟槽隔离的顶端不低于所述半导体衬底的上表面。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述空洞在所述浅沟槽隔离内的位置靠近与所述浅沟槽隔离相邻的NMOS器件的沟道区域。

11.如权利要求8至10任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述位于相邻的两个NMOS器件之间的浅沟槽隔离的内部的所述空洞，与所述相邻的两个NMOS器件之间的距离相同。

12.如权利要求8至10任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述位于相邻的NMOS器件与PMOS器件之间的浅沟槽隔离的内部的所述空洞，位于靠近所述NMOS器件的一侧。

13.如权利要求8至10任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述空洞为椭球形，其长直径为0-200nm，短直径为0-50nm；并且，所述空洞的顶端距所述半导体衬底的上表面的距离为-100nm至5nm。

14.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求8至13任一项所述的半导体器件。