[发明专利]中央处理单元外壳有效
申请号: | 201310585120.8 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN104375572B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 陈科君;黄文雄;杨培民;梁峻彰 | 申请(专利权)人: | 华宏新技股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/16 | 分类号: | G06F1/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中央 处理 单元 外壳 | ||
1.一种中央处理单元外壳,其包括:
电磁干扰(EMI)屏蔽,所述EMI屏蔽包括:
经配置以遮蔽EMI的第一层;以及
经配置以散热的第二层,所述第二层包含一大体上平坦的表面及由其延伸的一个或多个侧壁;
其中所述屏蔽经配置以使得在对应所述第二层的所述屏蔽的一侧暴露于热源中时,整个所述屏蔽上大体上均匀地分布热量,当所述热源在所述屏蔽的较多暴露于所述热源的侧与所述屏蔽的较少暴露于所述热源的相对侧之间产生温度失衡,而所述第二层的该一个或多个侧壁由该平坦的表面朝所述热源延伸,且设置得比所述第一层更接近所述热源。
2.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述EMI屏蔽包括大体上平坦的主表面和一个或多个侧壁。
3.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述第一层为大体上平坦的。
4.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述第一层为不锈钢层。
5.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述第二层经配置以各向异性地散热。
6.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述第二层为铜层。
7.根据权利要求2所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述EMI屏蔽的所述大体上平坦的主表面大体上不存在开口。
8.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,其进一步包括所述第一层与所述第二层之间的一个或多个界面。
9.根据权利要求2所述的中央处理单元外壳,其特征在于,当所述屏蔽的一侧暴露于具有至少60℃或更高表面温度的热源中,并且所述屏蔽的另一侧暴露于不多于从所述热源产生的50%的热能中时,所述EMI屏蔽具有小于约15%的温度分布比率。
10.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述屏蔽经配置使得所述屏蔽的一侧暴露于热源时在整个所述屏蔽上大体上均匀地分布热量,当所述热源在所述屏蔽的面对所述热源的一侧与所述屏蔽的相对侧之间产生温度失衡。
11.根据权利要求1所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述屏蔽经配置,使得热源输出2.5瓦特的热能并且在距离所述屏蔽最近且距离所述屏蔽约0.5mm的位置处具有摄氏68.5度的表面温度,所述温度分布使得60×60mm2的所述屏蔽的相对侧上距离所述位置的最近点约为摄氏50度,所述屏蔽的相对侧在几何学上以所述位置为中心并且背朝所述屏蔽,并且所述屏蔽中在距离所述最近点最远的侧面上的位置具有在约摄氏48度至约摄氏50度范围内的温度。
12.根据权利要求11所述的中央处理单元外壳,其特征在于,摄氏68.5度的所述表面温度为所述中央处理单元外壳的饱和温度。
13.根据权利要求11所述的中央处理单元外壳,其特征在于,对在约50MHz至约4.2GHz范围内的EMI产生的遮蔽效果是在约88dB至约75dB的范围内。
14.根据权利要求11所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述屏蔽的平均厚度为约0.2mm。
15.根据权利要求12所述的中央处理单元外壳,其特征在于,所述热源面向所述屏蔽的表面区域为约25mm×25mm。
16.一种中央处理单元外壳,其包括:
用于遮蔽电磁干扰(EMI)并且大体上均匀地散热的构件;以及
电子部件,所述电子部件中的至少一者通过所述用于遮蔽EMI的构件进行遮蔽EMI或所述电子部件发出的EMI被该构件遮蔽;
其中,用于遮蔽EMI并且大体上均匀地散热的所述构件包括经配置以遮蔽EMI的一第一层以及用于散热的一第二层,所述第二层包含一大体上平坦的表面及由其延伸的一个或多个侧壁,所述构件经配置以使得在对应所述第二层的所述构件的一侧暴露于一热源时,整个所述构件大体上均匀地分布热量,当所述热源于所述构件较多暴露于所述热源之侧与所述构件较少暴露于该热源的一相对侧之间产生温度失衡,而所述第二层的所述一个或多个侧壁由所述平坦的表面朝该热源延伸,且设置得比所述第一层更接近该热源。
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