[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钼，三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪，2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶，3',3''-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）及2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑中至少一种，所述镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁、氧化镁及氯化镁中至少一种，所述金属材料功函数为-4.0eV～-5.5eV。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述三元掺杂层中所述酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料的质量比为（4～15）:（3～5）：1，所述镁的化合物掺杂层中所述镁的化合物材料与金属材料的质量比为0.1:1～0.3:1。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述三元掺杂层厚度为20nm～80nm，所述镁的化合物掺杂层厚度为20nm～50nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；

然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述电子注入层的制备方式为：在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备三元掺杂层，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钼，三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪，2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶，3',3''-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）及2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑中至少一种，然后在所述三元掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备镁的化合物掺杂层，所述镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁、氧化镁及氯化镁中至少一种，所述金属材料功函数为-4.0eV～-5.5eV，及，

在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述三元掺杂层中所述酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料的质量比为（4～15）:（3～5）：1，所述镁的化合物掺杂层中所述镁的化合物材料与金属材料的质量比为0.1:1～0.3:1。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述三元掺杂层厚度为20nm～80nm，所述镁的化合物掺杂层厚度为20nm～50nm。

8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种。

9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，电流为1A～5A，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。