[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铷的化合物掺杂层和金属掺杂层组成，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料和掺杂在所述铷的化合物材料中的二氧化钛，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述金属掺杂层包括金属材料和掺杂在所述金属材料中的镁的化合物材料，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种，所述金属材料的功函数为-2.0eV～-3.5eV。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷的化合物掺杂层中所述铷的化合物材料与二氧化钛的质量比为10:1～30:1，所述金属掺杂层中所述金属材料与所述镁的化合物材料的质量比为0.1:1～2:1。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷的化合物掺杂层厚度为5nm～20nm，所述金属掺杂层厚度为10nm～50nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛的粒径为20nm～200nm，所述金属材料选自镁、锶、钙及镱中至少一种。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；

然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层的制备方式为：在电子传输层表面通过电子束蒸镀的方法制备铷的化合物掺杂层，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料和掺杂在所述铷的化合物材料中的二氧化钛，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，然后在所述铷的化合物掺杂层表面通过电子束蒸镀方式制备金属掺杂层，所述金属掺杂层材料包括金属材料和掺杂在所述金属材料中的镁的化合物材料，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种，所述金属材料的功函数为-2.0eV～-3.5eV，及，

在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述铷的化合物掺杂层中所述铷的化合物材料与二氧化钛的质量比为10:1～30:1，所述金属掺杂层中所述金属材料与所述镁的化合物材料的质量比为0.1:1～2:1。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述铷的化合物掺杂层厚度为5nm～20nm，所述金属掺杂层厚度为10nm～50nm。

8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述二氧化钛的粒径为20nm～200nm，所述金属材料选自镁、锶、钙及镱中至少一种。

9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子束蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，能量密度为10W/cm²～l00W/cm²，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。