[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铷的化合物掺杂层和电子传输材料掺杂层组成，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料和掺杂在所述铷的化合物材料中的金属氧化物材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述金属氧化物材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述电子传输材料掺杂层包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的有机硅小分子材料，所述电子传输材料的玻璃化转变温度为50℃～100℃，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV～-5.5eV。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷的化合物掺杂层中所述铷的化合物材料与金属氧化物材料的质量比为0.3:1～0.5:1，所述电子传输材料掺杂层中所述电子传输材料与所述有机硅小分子材料的质量比为1:1～4:1。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷的化合物掺杂层厚度为10nm～30nm，所述电子传输材料掺杂层厚度为60nm～200nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲及2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中至少一种，所述有机硅小分子材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中至少一种。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；

然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层由铷的化合物掺杂层和电子传输材料掺杂层组成，所述电子注入层的制备方式为：在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备铷的化合物掺杂层，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料组和掺杂在所述铷的化合物材料中的金属氧化物材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述金属氧化物材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，然后在所述铷的化合物掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备电子传输材料掺杂层，所述电子传输材料掺杂层包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的有机硅小分子材料，所述电子传输材料的玻璃化转变温度为50℃～100℃，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV～-5.5eV，及，

在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述铷的化合物掺杂层中所述铷的化合物材料与金属氧化物材料的质量比为0.3:1～0.5:1，所述电子传输材料掺杂层中所述电子传输材料与所述有机硅小分子材料的质量比为1:1～4:1。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述铷的化合物掺杂层厚度为10nm～30nm，所述电子传输材料掺杂层厚度为60nm～200nm。

8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲及2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中至少一种，所述有机硅小分子材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中至少一种。

9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，电流为1A～5A，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。