[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

传统的有机电致发光器件的电子注入层一般采用氟化锂，但是由于氟化锂熔点过高，蒸镀时必须采用较大电流来蒸镀，而有机蒸镀室的蒸镀室温度过高，会使其他有机功能层受到破坏，并且氟化锂的成膜性较差，容易形成电子缺陷，造成电子的淬灭，降低了电子和空穴的复合几率。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由二元掺杂层和金属掺杂层组成，所述二元掺杂层包括铷的化合物材料和有机硅小分子材料，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV～-5.5eV，所述金属掺杂层材料包括金属材料和电子传输材料，所述金属材料功函数为-2.0eV～-3.5eV，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝及N-芳基苯并咪唑中至少一种。

所述二元掺杂层中所述铷的化合物材料与有机硅小分子材料的质量比为2:1～4:1，所述金属掺杂层中所述金属材料与所述电子传输材料的质量比为5:1～20:1。

所述二元掺杂层厚度为15nm～50nm，所述金属掺杂层厚度为30nm～100nm。

所述有机硅小分子材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中至少一种，所述金属材料选自镁、锶、钙及镱中至少一种。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；

然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层的制备方式为：在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备二元掺杂层，所述二元掺杂层包括铷的化合物材料和有机硅小分子，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷硫酸铷中至少一种，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV～-5.5eV，然后在所述二元掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备金属掺杂层，所述金属掺杂层材料包括金属材料和电子传输材料，所述金属材料功函数为-2.0eV～-3.5eV，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝及N-芳基苯并咪唑中至少一种，及，

在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。

所述二元掺杂层中所述铷的化合物材料与有机硅小分子材料的质量比为2:1～4:1，所述金属掺杂层中所述金属材料与所述电子传输材料的质量比为5:1～20:1。

所述二元掺杂层厚度为15nm～50nm，所述金属掺杂层厚度为30nm～100nm。

所述有机硅小分子材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中至少一种，所述金属材料选自镁、锶、钙及镱中至少一种。

所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，工作电流为1A～5A，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

所述磁控溅射方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。