[发明专利]一种石墨烯温度传感器及其制备工艺

权利要求书

1.一种石墨烯温度传感器，其特征在于，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO₂层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO₂层、Si衬底、背栅电极。

2.一种石墨烯温度传感器的制备工艺，其特征在于：将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO₂层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。

3.如权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，按照如下步骤：

(1)制备SiO₂/Si衬底：在Si衬底上采用干法氧化工艺生长300nm的SiO₂薄膜；

(2)制备双层石墨烯：采用机械剥离自然石墨的方法获得双层石墨烯；

(3)淀积双层石墨烯：将双层石墨烯淀积在下SiO₂层上；

(4)制作源漏电极：在双层石墨烯两端的源漏区域制作电极，其方式为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极；

(5)淀积倍半硅氧烷：先旋涂一层50nm厚的倍半硅氧烷，然后经电子束曝光使其固化；

(6)制作顶栅介质：在氢倍半硅氧烷层上方溅射250nm的SiO₂薄膜作为顶栅介质；

(7)制作顶栅：在上SiO₂层上方使用镍铬合金膜作为半透明顶栅，所使用的镍铬合金膜薄片电阻为200Ω；

(8)制作顶栅和背栅电极：在顶栅和背栅上分别制作顶栅电极和背栅电极，其方式为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极。